第7章节 光 敏 传 感 器.ppt

(1) 在足够高的加速电压作用下，只要用一定频率的光照射在物质表面（如金属阴极），则产生正比于光强的光电流； (2) 在能够产生光电流的入射频率中，存在着一个最低频率，该频率与金属阴极的种类有关； (3) 外量子效应的光电子最大能量与入射光强度无关，与入射光频率成正比关系，如图7.2所示。若光子能量E单位为eV， 波长λ单位为nm，h为普朗克常数，c为光速，υ为频率，则有 　　2. 光谱响应特性 　　光谱响应主要取决于材料的禁带宽度。此外还与器件结构、 工艺条件及质量有关。图7.14示出典型的硅光敏二极管的光谱响应曲线。从图中可以看出，在400～1100 nm的范围内，硅光敏二极管对不同波长的入射光的响应是不同的。最高响应灵敏度所对应的入射光波长称为峰值波长。硅光敏二极管的峰值波长约为900nm。 图 7.14 硅光电二极管的光谱响应特性 　　不同波长的入射光在硅材料中被吸收的情况是不同的。波长短的光透入深度浅，易被表面层吸收，例如波长为400～500 nm的光可在表面内零点几微米范围内被完全吸收；波长长的光， 例如波长为900～1100nm的光则可以透入硅材料内几十微米。 但是光生载流子中，只有那些能扩散进入势垒区从而能够被收集的光生载流子才对光电流有贡献。如果大量的光生载流子在向势垒区扩散的途中就被复合掉，那只会降低入射光的量子效率。所以，应使PN结尽量靠近硅片表面，以便能够充分地收集短波光子产生的光生载流子，提高器件的短波响应灵敏度。此外，选用高阻硅材料有利于扩展势垒区的宽度， 从而增加对长波光子的吸收。  　　3. 暗电流 　　在无光照条件下，加有一定反偏压的光敏二极管的反向电流称为光敏二极管的暗电流，其值等于反向饱和电流、复合电流、表面漏电流以及热电流之和。暗电流越小越好， 这是因为暗电流小，则器件的性能稳定，噪声低，检测微弱信号能力强。通常，PN结型光敏二极管在50 V反向偏压下的暗电流小于100 nA。  　　暗电流的大小与管芯的受光面积、所加偏压以及环境温度有关。管芯受光面积大,所加偏压高,环境温度高, 都会使暗电流增大。一般情况下，环境温度每升高30～40℃，暗电流可能增大10倍。 　　4. 噪声及探测灵敏度 　　噪声是限制光敏二极管探测灵敏度的主要原因。除了1/f噪声和外电路所引起的噪声外，光敏器件的主要噪声源如下： 　　(1) 光子噪声： 它是由背景光引起的统计起伏造成的； 　　(2) 热噪声： 由载流子无规则的热运动造成；  　　(3) 粒散噪声： 由越过势垒区的载流子数的统计起伏造成的，其中也包括在势垒区中产生的复合噪声（G－R噪声。） 　　噪声决定了光敏二极管所能探测到的最小功率。通常采用等效噪声功率（NEP）表示光敏二极管的探测灵敏度。当照射到探测器上的入射光功率PD正好使它的输出电压等于它本身的噪声电压时，此功率称为等效噪声功率，或者可将其简单地定义为在负载上实现单位信噪比所需的入射光功率。等效噪声功率表示器件可探测的最低功率。等效噪声功率可用下式表示 （7.18） 式中：S——测量条件下的信号电压；  　　　N——测量条件下的噪声电压；  　　　A——探测器的面积；  　　　PD——由黑体到达探测器的辐射功率密度。  　　NEP与测试条件有关。一般情况下必须指明测试条件， 如辐射源温度、调制频率和放大器的带宽等。  由NEP的定义可知，NEP小的器件比NEP大的器件更灵敏， 即能探测出更微弱的光信号，性能更优越。所以人们也采用一个称为“探测度”D的参数来表征探测灵敏度。D定义为NEP的倒数， 即 （7.19） 就是说， 探测度越大， 器件性能越好。 图 7.15 硅光电二极管等效电路 　　5. 响应特性 　　光敏二极管的响应特性是由PN结上积累的电荷通过电极传到外部电路的速度来表示的。光敏二极管的等效电路如图7.15所示。  　　可以看出，响应速度与结电容Cj和负载电阻RL有关。一般地说，响应速度用输出信号从峰值的10％上升到90％所需的时间来表示， 其数值可以用下式计算， 即 （7.20） 图 7.18 硅光电晶体三极管的结构和等效电路 (a) 结构； (b) 等效电路 7.4 光 敏 晶 体 管 　　如把光敏晶体管接成如图7.19所示的达林顿接法，那么即使入射光非常弱，也可以获得很大的输出电流，甚至不加放大环节就可直接驱动继电器工作。 ? 　　由于光敏晶体管的结构相当于将产生光电流的部分与放大部分结合在一起， 所以也提高了抗噪声能力。 图 7.19 达林顿接线式硅光电三极管的内部连接的等效电路 7.4.2光敏晶体管的特性 　　光敏晶体管的电特性相似于那些小信号晶体三极管。 光子的作用就好像普通晶体管的基极电流。 