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大连理工大学出版社 第7章 半导体器件 7.1 半导体二极管 7.2 半导体三极管 7.3 场效应管 7.1 半导体二极管 一、本征半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。常用的半导体材料有硅、锗和砷化镓等。 纯净的不含杂质的半导体称为本征半导体。常用的本征半导体是硅和锗晶体。 二、杂质半导体 在本征半导体晶体中掺入微量的5价元素，例如磷。由于磷原子的最外层电子轨道上 有5个价电子，其中4个和相邻的硅原子构成共价键，多出的一个电子很容易摆脱原子核的 束缚成为自由电子，磷原子则因失去一个电子而带正电。 2.P型半导体 在本征半导体晶体中掺入微量的3价元素，例如硼。由于硼的价电子只有3个，当它与硅原子组成共价键时，因缺少一个价电子而形成空穴，相邻的价电子很容易被吸引填补这个空穴，使硼原子变成带负电的粒子。 三、PN结及其单向导电性 1.PN结的形成 当通过一定的工艺，使一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起时，在它们的交界处会形成一个特殊区域，称为PN结。 2.PN结的单向导电性 PN结具有单向导电性。PN结加正向电压时，电路中有较大电流流过，PN结导通;PN结加反向电压时，电路中电流很小，PN结截止。 四、半导体二极管 1.结构 半导体二极管是由PN结两端接上电极引线并用管壳封装构成的。P区引出的电极为图7-8 半导体二极管的符号。 半导体二极管的正极或阳极，N区引出的电极为半导体二极管的负极或阴极。 半导体二极管按结构不同可分为点接触型二极管和面接触型二极管。 半导体二极管按材料不同又可分为硅和锗二极管。 2.半导体二极管的伏安特性 （1）正向特性 图7-9 半导体二极管的伏安特性曲线 在外加正向电压较小时，外电场不足以克服内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，电路中的正向电流几乎为零，这个范围称为死区，相应的电压称为死区电压。锗管死区电压约为0.1 V，硅管死区电压约为0.5 V。 当外加正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而快速上升，半导体二极管处于导通状态。锗管的正向导通压降为0.2～0.3 V，硅管的正向导通压降为0.6～0.7 V。 3.半导体二极管的主要参数 （1）最大整流电流IFM 指半导体二极管长期使用时允许流过的最大正向平均电流。使用时工作电流不能超过最大整流电流，否则二极管会过热烧坏。 （2）最大反向工作电压URM 指半导体二极管使用时允许承受的最大反向电压，使用时半导体二极管的实际反向电压不能超过规定的最大反向工作电压。为了安全起见，最大反向工作电压为击穿电压的一半左右。 （3）最大反向电流IRM （4）最高工作频率fM 五、特殊二极管 1.硅稳压二极管 硅稳压二极管是半导体二极管中的一种，其正常工作在反向击穿区。在电路中它与适当的电阻配合，具有稳定电压的作用，故又称为稳压管。 稳压管的主要参数如下: （1）稳定电压UZ 即反向击穿电压，是稳压管在正常的反向击穿工作状态下管子两端的电压。同一型号的管子，其稳压值也有一定的分散性，使用时要进行测试，按需要挑选。 （2）稳定电流IZ 指稳压管工作在稳定电压时的电流。 （3）最大稳定电流IZM 指稳压管正常工作时允许通过的最大反向电流。稳压管使用时，其工作电流不能超过最大稳定电流。 （4）动态电阻rZ （5）最大允许耗散功率PZM 指稳压管工作时所允许的最大耗散功率，其值等于最大稳定电流与相应的稳定电压的乘积。 2.发光二极管 发光二极管（LED）是一种能将电能转换成光能的半导体器件。当有正向电流通过时，发光二极管就会发光。发光二极管用砷化镓、磷化镓等制成，主要用于音响设备及线路通、断状态的指示等。 3.光电二极管 光电二极管是一种能将光信号转换成电信号的半导体器件。光电二极管的反向电流随光照强度的变化而变化。光电二极管主要用于需要光电转换的自动探测、计数、控制装置中。 7.2 半导体三极管 一、半导体三极管的基本结构 二、半导体三极管的放大原理 三、半导体三极管的特性曲线 1.输入特性