第9章节 光电式式传感器(精简).ppt

第9章　光电式传感器 9.1 光电器件 9.2 光纤传感器 9.3 红外传感器 9.4 超声波传感器 思考题与习题 1. 结构及工作原理 　　当入射光照射PN结时,若光子的能量足够大,则可以在PN结内产生电子-空穴对,在结电场的作用下,空穴移向P型区,电子移向N型区,在N区和P区之间出现电位差——光生电动势 9.1.4 光电池 图9-14 硅光电池结构原理图及等效电路 　2.光电池的基本特性 (1) 光谱特性:取决于光电池的材料 　　　　 9.1.4 光电池 图9-15 光电池的光谱特性 ①硒光电池在可见光谱范围内有较高灵敏度,适合测可见光。 ②硅光电池应用范围在400nm～1200nm,可在很宽的范围内使用。 　2.光电池的基本特性 (1) 光谱特性:取决于光电池的材料 　　　　 9.1.4 光电池 图9-15 光电池的光谱特性 ③光电池的选用与光 源结合。 ④光谱特性的峰值与使用温度有关(T升高,图形左移)。 (2) 光照特性——指在光电流与照度之间的关系以及光生电动势与照度之间的关系　　 9.1.4 光电池——基本特性 图9-16 硅光电池的光照特性 ①短路电流与光照强度呈线性关系; ②开路电压与光照度呈非线性关系,且当照度在2000 Lx时趋于饱和。 ③开路电压与光照度呈非线性关系,且当照度在2000 Lx时趋于饱和。 (2) 光照特性——指在光电流与照度之间的关系以及光生电动势与照度之间的关系　　 9.1.4 光电池——基本特性 图9-16 硅光电池的光照特性 ④光电池作为测量元件时,应当作为 源,不宜作为 源。 电流 电压 ⑤光电池在不同照度下,其内阻也不同,应适当的选择电阻使满足“短路”的条件——充分利用照度与光电流的线性关系。 ⑥负载电阻越小,两者的线性关系越好,其线性范围越宽。 9.1.4 光电池——基本特性 (3) 频率特性 9.1.4 光电池——基本特性 图9-17 硅光电池和硒光电池的频率特性 ①频率特性与材料、结构、使用条件有关。 ②硅光电池具有较高的频率响应,而硒光电池则较差。 (4)温度特性——开路电压和短路电流随温度变化的情况。　　 9.1.4 光电池——基本特性 图9-18 硅光电池的温度特性 ①开路电压随温度的升高而下降的速度较快,而短路电流随温度的升高而缓慢增加。 ②该特性关系到应用光电池的设备的温度漂移,影响到测量和控制精度等指标。 (4)温度特性——开路电压和短路电流随温度变化的情况。　　 9.1.4 光电池——基本特性 图9-18 硅光电池的温度特性 当光电池作为测量元件时,最好能保持温度恒定或采取温度补偿措施。 以光为媒介进行耦合来传递电信号,可实现电隔离, 因而提高了系统的抗干扰能力。由于它具有单向信号传输功能,因而多用于电路隔离、电平转换、噪声抑制、无触点开关等。 　　 9.1.5 光电耦合器件——光耦 (a)光敏三极管型光耦(b)达林顿型光耦 组合形式： 9.1.5 光电耦合器件——光耦 　2.光电开关 　　当有不透光的物体位于透射式开关中间或物体经过反射式开关时,接收元件收到的信号将发生变化,产生一个检测脉冲。 9.1.5 光电耦合器件 图9-20 光电开关的结构 透射式 反射式 1. 光电转速传感器 9.1.7 光电器件的应用 图9-26 光电数字转速表工作原理图 图9-27 光电转换电路 光照V1 流经R1电流增大 V2通 V3通 V4止 Uo为高 9.1.7 光电器件的应用—光电转速传感器 * 第9章 光电式传感器 * 第9章　光电式传感器 1.光电效应 　　——指物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量而产生的电效应。 可分为外光电效应和内光电效应两种。 　(1) 外光电效应 　　在光的作用下，物体内的电子(光电子)逸出物体表面向外发射的现象。如光电管、光电倍增管等。 　　 9.1 光电器件 　　光束由光子组成，光子是以光速运动的粒子流，具有能量，每个光子的能量为 E=hυ (9-1) 式中：h=6.626×10-34J·s,为普朗克常数;υ为光的频率(s-1)。 9.1 光电器件 9.1 光电器件 光照射物体时,当物体中电子吸收的入射光子能量超过逸出功A0时,电子就会逸出物体表面,形成光电子发射,光子能量超过逸出功的部分为逸出电子的动能。根据能量守恒有 或 称为爱因斯坦光电效应方程 9.1 光电器件 ①光电子能否产生,取决于光电子的能量是否大于该物体表面电子逸出功A0。 ②不同材料具有不同的逸出功,因此对于某种材料而言便有一个频率限。 当入射光的频率低于此频率限时,无论光强多