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第三章 门电路 高电平UH： 输入高电平UIH 输出高电平UOH 低电平UL： 输入低电平UIL 输出低电平UOL 逻辑“0”和逻辑“1”对应的电压范围宽，因此在数字电路中，对电子元件、器件参数精度的要求及其电源的稳定度的要求比模拟电路要低。 一、二极管伏安特性 A R 1 4k W T 1 T 2 T 4 T 5 R 4 R 3 1K W 130 W +Vcc R 2 1.6K W Y D 1 D 2 输入级 倒相级 输出级 一、电路结构 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 输入级：由发射极晶体管T1和基极电组R1、D1组成 中间级：放大级，由T2、R2和R3组成，T2的集电极C2和发射极E2可以分别提供两个相位相反的电压信号 输出级：由T4、T5、R4、D2组成其中T4与T5组成推拉式输出结构。功耗低，带负载能力强 A R 1 4k W T 1 T 2 T 4 T 5 R 4 R 3 1K W 130 W +Vcc R 2 1.6K W Y D 1 D 2 B1 C2 E2 (vI) (vO) 工作原理 设：VIL=0.2V，VIH=3.4V 1、vI=VIL时 T1发射结导通，vB1=0.2+0.7=0.9V 0.9V的电压加在T1的集电结和T2的发射结上,不足以使T2导通,故T2截止. vC2为高电平→T4导通 vE2为低电平→T5截止 vO=VCC - vR2 - vBE4 - vD2=3.4V →输出高电平 T1基极电流很大,而集电极电流由于T2截止,故很小, 基区存储电荷很多,T1处于深度饱和状态. 2、vI=VIH时 若不考虑T2、T5，则T1发射结导通， vB1=3.4+0.7=4.1V ? vC2为低电平→T4截止 vE2为高电平→T5导通 T2导通→ →输出低电平 vO=VCE(sat)=0.2V 此时T1发射结反偏,集电结正偏，T1处于倒置放大状态. 由于存在T2、T5，则T2、T5 的发射结导通。 vB1=0.7+0.7+0.7=2.1V T1发射结反偏 A R 1 4k W T 1 T 2 T 4 T 5 R 4 R 3 1K W 130 W +Vcc R 2 1.6K W Y D 1 D 2 B1 C2 E2 (vI) (vO) 二、电压传输特性 需要说明的几个问题 若无D2，则T4会导通。 D1 钳位二极管，限制输入端的负脉冲干扰，保护发射结。若无D1，则输入端有负脉冲时，电流iB很大，烧坏发射结。 加上D1，输入端电位被钳位在-0.7V， 保证发射结不被烧坏 三、输入噪声容限 低电平输入电压UIL（max）＝0.8V 高电平输入电压UIH（min）＝2V 低电平输出电压UOL（max）＝0.4V 高电平输出电压UOH（min）＝2.4V 74系列门电路的典型参数： 参见P138-139 一、输入特性（输入端的伏安特性） 1. vI=VIL=0.2V时 1 VIL=0.2V IIL=? 负号表示输入电流流出门 ★ 3.5.3 TTL反相器输入特性和输出特性 R1 4kΩ D1 T1 0.2V IIL VCC be2 be5 输入端等效电路 2. vI=VIH=3.4V时 1 VIHI=3.4V IIH=? 正号表示输入电流流进门★ R1 4kΩ D1 T1 3.4V IIH VCC be2 be5 VB1=2.1V 高电平输入端等效电路 T1处于倒置放大状态， 电流放大系数极小，输入电流只是be结的反向电流，一般情况下，IIH+40μA ★ 3. 输入端悬空----相当于接高电平 R1 4kΩ D1 T1 VCC be2 be5 VB1=2.1V 输入端悬空时，VCC通过R1加在 T1集电结、T2、T5发射结上，使T2、T5 导通，输出低电平。故相当于输入端 接高电平。 当输入为低电平时， 输入电流流出门，大小为1mA； 当输入为高电平时， 输入电流流进门，很小40μA。 1. 高电平输出特性 RL VCC R4 130 VOH T4 D2 R2 1.6k iL 负载电流为5mA时,电平下降不多，考虑到功耗，实际使用时负载电流不能超过0.4mA ★ 输出高电平时，T4导通，T5截止, 电流流出门 RL↓→ iL ↑ → vR4 ↑ → T4 的bc结正偏进入饱和， T4 失去射级跟随功能 →VOH↓ iL /mA －10 －5 －15 3.0 2.0 1.0 VOH /V 二、输出特性 T4工作在射级输出状态，电路的 输出电