第三章节 模拟集成电路.ppt

制作：路勇 第三章 场效应管及基本放大电路 MOS场效应管 结型场效应管 场效应管的主要参数和微变等效电路 场效应管基本放大电路 第一节 MOS场效应极管 场效应管：是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是以输入电压控制输出电流的的半导体器件。 由于BS短接,G与衬底B间产生电场，电子被正极板吸引,空穴被排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。 耗尽层中的少子——电子，将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍不能形成漏极电流ID。 且UGS固定为某一很小值时： UDS与漏极电流ID之间呈线性关系。 UGS＜0时； 随着UGS的减小漏极电流逐渐减小， 直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断 电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。 P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同。 区别是导电的载流子不同，供电电压极性不同。 同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 场效应管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道不同，以及增强型还是耗尽型,可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。 如果按统一规定正方向，特性曲线就要画在不同的象限。 为便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定。 有关曲线绘于下图之中。 第二节 结型场效应三极管 JFET的结构与MOSFET相似， 工作机理也相同。如图: 在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹一个N型沟道的结构。 P区即为栅极; N型硅的一端是漏极; 另一端是源极。 二.结型场效应三极管的工作原理 结型场效应管没有绝缘层，只能工作反偏的条件下。 N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区。 P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。 现以N沟道为例说明其工作原理。 ①栅源电压对沟道的控制作用 4.当漏极电流为零时所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UP、这一过程如图02.20所示。 ②漏源电压对沟道的控制作用 当UDS增加到使UGD=UGS-UDS=UGS(off)时； 在紧靠漏极处出现预夹断，所示。 当UDS继续增加； 漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。 以上过程与绝缘栅场效应管十分相似，见图03.15。 (三)结型场效应三极管的特性曲线 它与MOSFET的特性曲线基本相同，只不过MOSFET的栅压可正可负， 而结型场效应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负。 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电的绝对值,场效应管不能导通(即IG =0)。 表3-2 常用场效应三极管的参数 三 场效应管的微变等效电路 1.低频等效电路： Ugs + - gm Ugs 1/gds + - Ugs + Id FET低频微变等效电路（ dUBS=0） 2.高频等效电路： FET高频微变等效电路（ dUBS=0） Ugs G S gm Ugs 1/gds D S Ugs Id Cds Cgs 双极型和场效应型三极管的比较 双极型和场效应型三极管的比较(续) 第四节 场效应管的基本放大电路 一 场效应管的偏置电路 二 外加偏置电路 三 三种基本放大电路 四 三种接法基本放大电路的比较 一 场效应管的偏置电路 （一）自给偏置电路： (1). UGS = 0时： IS = ID RS两端电压为： US = IS RS (2). 由于 IG=0; UG =0: UGS = -IS RS = -ID RS 由此构成支流偏压，所以称为自给偏压式。 1.基本型自给偏置电路： 基本型自给偏置电路 2.改进型自给偏置电路： (1). 由R1 = R2分压，给RG一个固定偏压。 RG很大以减小对输入电阻的影响。 (2).对于耗尽型FET： UGS = EDR2 /(R1 + R2) -ID RS 此时： RS大Q点不会低。 改进型自给偏置电路 ID= IDSS[1－(UGS /Up)]2 * 第一节 第二节 第三节 第四节 1.根据载流子来划分： N沟道器件：电子作为载流子的。 P沟道器件：空穴作为载流子的。 2.根据结构来划分： 结型场效应管JFET： 绝缘栅型场效应管IGFET： (一) 增强型MOSFET结构 N沟道增强型MOSFET 的结构如图： D为漏极，相当C； G为栅极，相当B； S为源极，相当E。 一、 N沟道增强型MOS场效应管的工作原理