IGBT系统IGBT中文名字为绝缘栅双极型晶体管它是由MOSFET.PDFVIP

IGBT系统 IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP 晶体管 （输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET 器件驱动功 率小和开关速度快的特点 （控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率 特性介于MOSFET 与功率晶体管之间，可正常 工作于几十kHz 频率范围内。 理想等效电路与实际等效电路如图所示： IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性）。 动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取： IGBT IGBT IIGGBBTT 的开通过程 IGBT 在开通过程中，分为几段时间 1.与MOSFET 类似的开通过程，也是分为三段的充电时间 2.只是在漏源DS电压下降过程后期，PNP 晶体管由放大区至饱和过程中增加了一 段延迟时间。 在上面的表格中，定义了了：开通时间Ton，上升时间Tr和Tr.i 除了这两个时间以外，还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i IGBT IGBT IIGGBBTT 在关断过程 IGBT 在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。 第一段是按照MOS 管关断的特性的 第二段是在MOSFET 关断后，PNP 晶体管上存储的电荷难以迅速释放，造成漏极 电流较长的尾部时间。 在上面的表格中，定义了了：关断时间Toff，下降时间Tf和Tf.i 除了表格中以外，还定义trv 为DS 端电压的上升时间和关断延迟时间td（off）。 漏极电流的下降时间Tf由图中的t（f1）和t（f2）两段组成，而总的关断时间可以 称为toff=td（off）+trv 十t（f），td（off）+trv 之和又称为存储时间。 从下面图中可看出详细的栅极电流和栅极电压，CE电流和CE 电压的关系： 从另外一张图中细看MOS 管与IGBT 管栅极特性可能更有一个清楚的概念： 开启过程 关断过程 尝试去计算IGBT 的开启过程，主要是时间和门电阻的散热情况。 C.GE 栅极-发射极电容 C.CE 集电极-发射极电容 C.GC 门级-集电极电容（米勒电容） Cies = CGE + CGC 输入电容 Cres = CGC 反向电容 Coes = CGC + CCE 输出电容 根据充电的详细过程，可以下图所示的过程进行分析 对应的电流可简单用下图所示： 第1阶段：栅级电流对电容CGE进行充电，栅射电压VGE 上升到开启阈值电压VGE （th）。这个过程电流很大，甚至可以达到几安培的瞬态电流。在这个阶 段，集电极是 没有电流的，极电压也没有变化，这段时间也就是死区时间，由于只对GE 电容充电， 相对来说这是比较容易计算的，由于我们采用电压源供电，这段 曲线确实是一阶指数曲 线。 第2阶段：栅极电流对Cge 和Cgc 电容充电，IGBT 的开始开启的过程了，集电极 电流开始增加，达到最大负载电流电流IC，由于存在二极管的反向恢复电流，因此这个 过程与MOS 管的过程略有不同，同时栅极电压也达到了米勒平台电压。 第3阶段：栅极电流对Cge 和Cgc 电容充电，这个时候VGE 是完全不变的，值得 我们注意的是Vce 的变化非常快。 第4阶段：栅极电流对Cge和Cgc 电容充电，随着Vce缓慢变化成稳态电压，米勒 电容也随着电压的减小而增大。Vge 仍旧维持在米勒平台上。 第5阶段：这个时候栅极电流继续对Cge 充电，Vge 电压开始上升，整个IGBT 完 全打开。 我的一个同事在做这个将整个过程等效为一阶过程。 如果以这个电路作为驱动电路的话： 驱动的等效电路可以表示为： 利用RC的充放电曲线可得出时间和电阻的功率。 这么算的话，就等于用指数曲线，代替了整个上升过程，结果与等效的过程还是有 些差距的。 不过由于C.GE，C.CE，C.GC 是变化的，而且电容两端的电压时刻在变化，我们 无法完全整理出一条思路来。 很多供应商都是推荐使用Qg来做运算，计算方法也可以整理出来，唯一的变化在 于Qg是在一定条件下测定的，我们并不知道这种做法的容差是多少。 我觉得这种做法的最大的问题是把整个Tsw全部作为充放电的时间，对此还是略有 些疑