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原子层沉积HfO2薄膜及其1D1R器件阻变特性研究.pdfVIP

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  • 2017-09-20 发布于上海
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原子层沉积HfO2薄膜及其1D1R器件阻变特性研究.pdf

    原子层沉积HfO2薄膜及其1D1R器件阻变特性研究

    围内，随着温度的降低，SET和RESET的电压有所增大。由于串联二极管反向 电流的限制作用，器件在小于245K的温度条件下无法实现SET操作。因此， K至室温。 该1D1R阻变器件的工作温度区间为250 关键词：阻变存储器；原子层沉积；HID2 II 万方数据 and flash Withthe oftheinformationsciencesmicroelectronics，the development the ofnonvolatilememoriesinthemarket．As hasbecomethemainstream memory device

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