陶瓷基复合材料的制备工艺.pptVIP

第四章 复合材料的焊接 第三节 陶瓷基复合材料的焊接 反应合成技术 反应合成法又称原位生成复合法，是Koczak等首先于1989年提出，但实际上最早出现于1967年前苏联Merehanov用SHS法合成TiB2/Cu功能梯度材料的研究中，随后对于此类材料制备技术的研究和开发应用非常活跃。 复合材料的性能主要取决于增强相的形貌、尺寸、分布和体积分数，以及基体与增强相之间界面的特性。 传统合成技术对增强相的选择及其与基体界面特性的控制方面存在许多问题，如：增强相颗粒尺寸不能太小、增强相易于偏聚、增强相与基体界面结合不良，在制备或高温使用过程中易于发生界面反应，造成性能的降低等。此外，这些合成技术往往较为复杂，成本偏高。 针对这种情况，近年来发展一种新的合成技术—反应合成或原位合成技术 与传统的外加增强相的金属基复合材料相比，反应合成具有如下的优点： ① 增强相由反应合成，细小(0.1-5?m)且弥散均匀分布； ② 一般来说，增强相表面无污染，与基体结合良好； ③ 增强相热力学稳定，可大幅度提高复合材料的高温性能； ④ 具有工艺简便，成本低的特点，并可制得形状复杂，尺寸大 的构件，被认为是最有前途实现产业化的工艺技术之一。 3、陶瓷基复合材料的制备工艺 CMC的制备过程通常分为两个步骤： 首先将增强材料掺入未固结的（或粉末状的）基体材料中； 使基体固结。 （1）连续纤维增强CMC成型工艺 连续纤维增强CMC制备方法有料浆浸渍及热压烧结法、化学气相沉积（CVD）法、直接氧化沉积法、先驱体热解法等。 1）料浆浸渍及热压烧结法 优点：比常压烧结的烧结温度低，时间短，致密度高； 缺点：生产效率低、工艺成本较高，纤维与基体的比例难控制，只能制备单向纤维增强制品。 料浆浸渍及热压烧结法 料浆浸渍工艺过程 2）化学气相沉积（CVD）法 具有贯通间隙的增强体坯件或纤维编织骨架中沉积陶瓷基体制备CMC。化学气相沉积工艺过程原理图。 优点：纤维受到的机械、化学损伤小，可以制备多向排布和编织和复杂形状的CMC； 缺点：生产周期长、效率低、成本高，难以制备高致密性的CMC。 化学气相沉积工艺过程原理图 3）直接氧化沉积法 方法：将纤维预制体置于熔融金属上面，添加有镁、硅添加剂的熔融金属铝，在氧化气氛中，不断地浸渍预制体，在浸渍过程中，熔融金属或其蒸汽与气相氧化剂反应生成氧化物。随着时间的延长，边浸渍边氧化，最终可制得纤维增强CMC。 优点：纤维几乎无损伤、纤维分布均匀、CMC性能优异，工艺简单、效率高成本低； 4）先驱体热解法 方法：将单独合成的先驱体，通过加温调节其粘度，在高压-真空联合作用下使其浸渗进入并充满多向纤维编织坯件的空隙，在高温下使先驱体热解。热解时低分子产物从坯件中逸出，留在空隙间的产物即形成陶瓷基体。 优点：热解温度热压烧结温度，可减少界面的有害化学反应；热解在常压下进行，可以避免对纤维的机械损伤，可制备形状复杂和尺寸准确的制品。 缺点：生产周期长，密度热压烧结 （2）晶须（短纤维）补强CMC成型工艺 外加晶须（短切纤维）补强CMC成型工艺 制备过程：晶须（短切纤维）分散、晶须（短切纤维）与基体原料混合、成型烧结。 成型方法：压力渗滤法、烧结法、先驱体热解法和化学气相沉积法 原位生长晶须补强CMC成型工艺 方法：通过化学反应在陶瓷基体中原位生成补强组元（晶须）。 （3）颗粒弥散型CMC的成型工艺 基本过程：颗粒弥散型CMC的增强材料和基体的原料均为粉料，因此混料方法多采用球磨。 混合料干燥 先成型为坯件 烧结。 烧结方法：常压烧结工艺和反应烧结。 4、陶瓷基复合材料的应用 CMC的使用温度：主要取决于基体特性，其工作温度按下列基体材料依次提高： 玻璃 玻璃陶瓷 氧化物陶瓷 非氧化物 陶瓷 其最高使用温度可达1900℃。 主要应用领域：刀具、滑动器件、航空航天构件、发动机构件、能源构件等。 应用例 制动件：法国已将长纤维增强碳化硅复合材料应用于制作 超高速列车的制动件，取得了传统制动件所无法比拟的优异的磨擦磨损特性； 航空航天领域：CMC制作的导弹的头锥、火箭的喷管、航天飞机的结构件等也都收到了满意的效果； 燃气轮机高温部件：汽轮机的进口温度高达1400℃，美国、德国、瑞典等国都在开展用CMC取代高温合金的研究 这样做的优点是： 焊缝通常由与被连接部分相同的材料组成；焊接后在进行后续加工，焊缝与其他部分具有相同的微观结构。 在末烧结态进行焊接的限制条件是，焊接区域与被连接部分之间必须化学相容，而且在致密化以后应有相同的性能。 5.2.3 纤维增强陶瓷基复合材料的焊接特点 与单质陶瓷、晶须增强