GaN与SiC电力电子应用.pdf

GaN 和SiC 电力电子应用 氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）将与硅（Si ）展开竞争，范围从小功率到大功率。 如果克服挑战，预计SiC 市场将增至原来的3 倍，GaN 市场将爆发性增长 2014 年，SiC 芯片业务规模超过 1.33 亿美元。与往年一样，功率因素校正（PFC）和光伏 （PV）仍是领先的应用领域。其中，SiC 二极管的市场份额超过80%。到2020 年，二极管 仍将是各种应用的主要贡献者，包括电动汽车和混合动力汽车（EV/ HEV）、光伏、功率因 素校正、风能、不间断电源（UPS）、马达驱动器。 受益于光伏逆变器的驱动，SiC 晶体管将实现快速增长。如果电动汽车动力传动系统逆变器 采用纯SiC 解决方案，那么还有很多挑战必须克服。我们预计2020 年将达到实用化。 2020 年，预计包括二极管和晶体管的整个SiC 市场将增至原来的3 倍，达到4.36 亿美元。 GaN 拥有一个很大的潜在市场规模，因此，GaN 器件应用将是非常重要的，其市场起点和 增长率与两个重要问题有直接联系： * 如何拓展低压GaN 的新兴应用，以及这些应用如何使用GaN 器件？ * 600 伏GaN 器件是否有市场？ 我们综合各种变化因素，给出了两种GaN 器件市场预测方案（2014-2020 年）。本报告分 析了GaN 在不同应用领域中的渗透率，包括DC-DC 转换、激光雷达、包络跟踪（envelope tracking ）、无线供电和功率因素校正等。按标准方案预测，2020 年GaN 器件市场规模将 达到3.03 亿美元。按照加速方案预测，低压GaN 器件和600 伏GaN 器件将快速应用，预 计2020 年的的市场规模将达到5.6 亿美元，如下图所示。新兴应用，如包络跟踪、无线供 电和激光雷达，将消耗三分之一的GaN 晶体管产能。在上述两种方案中，低于200 伏的低 压应用都将是主要的市场贡献者。 GaN 器件市场规模（两种预测方案） 各大厂商正朝着正确方向克服目前的技术挑战，以加速宽禁带器件应用 采用GaN 或SiC 材料设计一款全新的产品将导致研发费用增加，但是可以通过系统级的附 加值来补偿。与常规的 Si 材料相比，这可能降低成本、减小尺寸、改善工作条件。为了抓 住该附加值，系统集成商必须能从宽禁带器件（工作频率和温度提升）中充分获益。 GaN 和SiC 商业化功率器件发展历程 到目前为止，宽禁带器件市场并没有像业内人士预测的那样快速增长。宽禁带器件应用的四 大阻碍因素如下： * 器件级的成本高 * 可靠性 * 多源供应（采购） * 集成性 近几年，许多研发项目已经陆续启动。一些原型样机表明：采用了宽禁带器件的系统反而具 有更低的物料清单成本（BOM）。 为了克服可靠性挑战，罗姆（ROHM）和科锐（Cree ）发布了新一代 SiC 器件或平台。SiC 和GaN 器件也将通过可靠性测试，以降低应用风险。 如今，许多公司开始研发 SiC MOSFET，包括科锐、罗姆、意法半导体、三菱和通用电气。 这意味着终端用户可以更好地发挥多源采购的优势。与此相反，GaN 市场中的供应商数量 则非常有限。在未来几年，新进厂商，如ExaGaN 和台积电将提供额外的采购选择。英飞凌 和松下也在2015 年宣布将为normally-off 600 伏GaN 功率器件建立双重采购关系。 宽禁带器件供应商和终端用户需要考虑多种因素，包括器件封装、模块封装、栅极驱动器集 成和拓扑设计。目前，封装正成为一个特定的瓶颈，但好消息是，大多数公司正朝着正确的 方向前进。GaN 器件制造商EPC 和GaN Systems 都采用先进封装，这似乎是比传统功率器 件封装更合适。最近，科锐收购了APEI ，将加快SiC 模块封装的发展。了解更多有关宽禁 带面临的挑战，请阅读本报告。 宽禁带器件封装的挑战 最近的融资趋势表明市场对宽禁带器件的信心 最近已经有好几条关于宽禁带业务的好消息。当前的SiC 器件市场领导者科锐决定剥离其功 率和射频事业部，成立一家独立的公司，同时将启动新的IPO。我们认为这是SiC 功率器件 市场持续增长的积极迹象。 2014 年SiC 器件厂商的市场份额 与此同时，几家GaN 初创企业合计拿到约 1 亿美元投资，如下表所示，其中两家进入全球 四大商业化GaN 公司行列。