刘刚@光刻微加工.pdf

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刘刚@光刻微加工

LIGA技术 •LIGA技术原理 •LIGA技术应用 •NSRL LIGA技术研究简介 What is LIGA ? The sketch of Deep Lithography Process Accuracy of the structure transfer due to Fresnel diffraction and photoelectrons as function of the characteristic wavelenfth of SR Fresnel diffraction Photoelectrons Measurement of the lateral dimension 7.3μm 0.055/100 μm Determination of light source parameters 深度光刻掩模 深度光刻掩模 亚微米光刻掩模 吸收体(金) : 15-20 μm 1-2 μm 衬底(聚合物) :10μm-100 μm 1 μm 深度光刻掩模制作 深度光刻掩模制作 Intermediate Mask Copy Intermediate Mask 光刻胶 光刻胶 电镀层 电镀层 掩模衬底 掩模衬底 光刻(PG, E-beam) 电镀 去胶和 电镀层 对Intermediate masks 的要求 衬底材料: 吸收体 X射线透过率50% (0.6nm-10nm) R100 表面粗糙度:r 50nm 厚度:1-2 μm a 平面性: +/-2μm 应力:20Mpa 厚度均匀性:+/-5% 杨氏模量:100Gpa 热稳定性:低热膨胀系数(与衬底接近) 化学稳定性:O , 有机溶剂 2 对深度光刻掩模的要求 衬底材料: 吸收体 X射线透过率80% (0.6nm-10nm) R100 光学透过率:50%

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