半导体照明中的非成像光学及其应用.pdf

第35卷第7期 中 国 激 光 V01．35，No．7 2008年7月 CHINESE LASERS July，2008 JOURNAL()F 文章编号：0258—7025(2008)07一0963一09 半导体照明中的非成像光学及其应用 罗 毅1’2 张贤鹏1 王 霖2 杨 毅2 胡 飞2 钱可元2 韩彦军1 李旭亮3 张志海3 邓国强3 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室／清华信息科学与技术国家实验室(筹)，北京100084 2清华大学深圳研究牛院半导体照明实验室，广东深圳518057 3东莞勤上光电股份有限公司技术研发中心，广东东莞523565 摘要 以GaN基功率型发光二极管(I，ED)为代表的半导体照明光源，具有其他传统光源无法比拟的诸多优点，被 公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势，利用非成像光学进行面向实际应用的功率型 I。ED封装光学系统没计，以高端半导体照明光源的制造为突破点。带动整个半导体照明产业的快速进步。已成为半 导体照明技术发展的战略选择。回顾了非成像光学的历史、研究进展以及在半导体照明中的应用，并通过设计实 例。介绍了面向功率型LED光线耦合、二维给定光分布以及三维给定光分布问题的非成像光学系统设计原理与解 决方案。 关键词半导体照明；非成像光学；氮化镓；发光二极管 TM 364+．2 文献标识码 A doi：10．3788／CJ0963 中图分类号 923．34；TN andIts inSolidState Non—ImagingOptics Application Lighting LuoYil，2 Lin2 Yi2HuFei2 ZhangXianpen91Wang Yang Han unlLeeWilliam3 Oceam3 QianKeyuan2Yanj Zhang DengGuoqian93 1S￡a￡P N口fio行nZ LⅡ60，。nfD，≯／．0rI行／b，‘，挖4fiD咒 KPyL口60rⅡfo，≯D理j卵fPgr口￡PdO户foPzPff，’D行ics／T5i行g^。m 100084，(Mi心口 o，E￡P“ro珂站E玎譬inPPri押g，丁ji行g^“口【肋i乞咿rsi￡j，，BP巧i柠g SfiP玎fP口以d丁_f^行ozogy，DP户d，fmP竹f 2 Se聍lico起d“cfor Sf_hooZ口fS^已nz^P规， Lig^fi挖gL口60，‘nforyo，Grnd“n￡P 518057，C，li咒Ⅱ 了_i九耳^“日Lkiwr5ify，S^P”z^P疗，G“口行gdo刀g