电力二极管的开关特性续.PPT

作用：防止器件串联使用时电压、并联使用时电流分配不均匀，使其电压、电流超过器件的极限损坏器件。 方法： 器件串联时，除尽量选用参数和特性一致的器件外，常采用图2.9.15所示的均压电路，R11、R12是静态均压电阻（阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多），R13、C11、和R14、C12并联支路作动态均压。 器件并联时，除了尽量选用参数和特性一致的器件外，常使每个器件串均流电抗器后再并联，同时用门极强脉冲触发也有助于动态均流。并且，IGBT具有电流的自动均衡能力，易于并联。 2.9.2 保护电路 图2.9.15 均压电路 3．开关器件串联、并联使用时的均压、均流 2.9.1 驱动电路 2.9.2 保护电路 2.9.3 缓冲电路 163 2.9.4 散热系统 2.9 、电力电子器件的驱动与保护 2.9.3 缓冲电路 1）原因： 电力电子器件工作状态有开通、通态、关断、断态四种工作状态，其中断态时承受高电压，通态时承载大电流，而开通和关断过程中开关器件可能同时承受过压、过流、过大的 、 以及过大的瞬时功率。 2）缓冲电路作用：防止高电压和大电流可能使器件工作点超出安全工作区而损坏器件。 3）原理：关断缓冲电路吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制 ,减小关断损耗；开通缓冲电路抑制器件开通时的电流过冲和 ,减小器件的开通损耗。 2.9.3 缓冲电路 2.9.3 缓冲电路 GTR开通过程：一方面ＣS经ＲS、ＬS和GTR回路放电减小了GTR承受较大的电流上升率 ，另一方面负载电流经电感ＬS后受到了缓冲，也就避免了开通过程中GTR同时承受大电流和高电压的情形。 GTR关断过程： 流过负载ＲL的电流经电感LS、二极管ＤS给电容ＣS充电，因为ＣS上电压不能突变，这就使GTR在关断过程电压缓慢上升，避免了关断过程初期器件中电流还下降不多时，电压就升到最大值,同时也使电压上升率 被限制。 2.9.3 缓冲电路 图2.9.16 GTR 缓冲电路 图2.9.16是一种中、小功率开关器件GTR的缓冲电路。 如图2.9.17所示是一种大功率开关器件GTR的缓冲电路。将无感电容器C、快恢复二极管D和无感电阻R组成RCD缓冲吸收回路。 器件关断过程：电流经过C、D给无感电容器充电，使器件的UCE电压缓慢上升，可有效地抑制过电压的产生； 器件开通过程：C上的电荷再通过电阻R经器件放电，可加速器件的导通。 作用：采用缓冲吸收回路后：不仅保护了器件，使之工作在安全工作区，而且由于器件的开关损耗有一部分转移到了缓冲吸收回路的功率电阻R上，因此降低了器件的损耗，并且可以降低器件的结面温度，从而可充分利用器件的电压和电流容量。 2.9.3 缓冲电路 图2.9.17 两种经常使用的缓冲吸收回路 2.9.1 驱动电路 2.9.2 保护电路 2.9.3 缓冲电路 2.9.4 散热系统 169 2.9 、电力电子器件的驱动与保护 2.9.4 散热系统 电力半导体器件在电能变换、开关动作中会产生功率损耗，使得器件发热，结面温度上升。但是，电力半导体器件均有其安全工作区所允许的工作温度（结面温度），无论任何情况下都不允许超过其规定值。为此，必须要对电力半导体器件进行散热。 电力半导体器件的散热，一般有三种冷却方式： ① 自然冷却：只适用于小功率应用场合 ； ② 风扇冷却：适用于中等功率应用场合，如IGBT应用电路； ③ 水冷却：适用于大功率应用场合，如大功率GTO、IGCT及SCR等应用电路； 2.9.4 散热系统 电力半导体器件的结面温度 表示了热阻的概念。电力半导体器件的结面温度可以用热阻求出。和电路欧姆定律一样，如果用电流I[A]代替功率损耗PT[W]，可求出两点间的温度差ΔT[℃] I[A]*R[Ω]=ΔV[V] （2.9.1） PT[W]*Rth[℃/W]= ΔT[℃] （2.9.2） 热阻的概念图 2.9.4 散热系统 电力半导体器件的冷却说明 电力半导体器件的冷却说明图 2.9.4 散热系统 电力半导体器件的冷却说明 上图是电力半导体器件的冷却说明图。A点（硅芯片器件）产生的功率损耗PT通过热阻回路从D点向周围散热。设A与D两点间的温度差为ΔTd时，电力半导体结面温度Tj表示为 Tj = ΔTd + Ta = PT[Rj-c + Rc-f + Rf-a] + Ta[℃] (2.9.