稀土锰氧化物的低场磁电阻效应-物理学进展-南京大学.PDFVIP

第 23 卷 　第 2 期 物 　理 　学 　进 　展 Vol . 23 ,No . 2 　2003 年 6 月 PRO GR ESS IN PH YSICS J un . ,2003 文章编号 (2003) 020 19220 稀土锰氧化物的低场磁电阻效应 王克锋 , 刘俊明 (南京大学物理系固体微结构国家重点实验室 ,南京 　2 10093) 摘　要 : 　具有庞磁电阻效应的掺杂稀土锰氧化物因为其高的自旋极化率和自旋极化输运 行为而表现出显著的低场磁电阻效应。这一效应在氧化物自旋电子学中有着深远的潜在应 用前景 。本文综述了国内外近年来在锰氧化物低场磁电阻增强这一研究领域的进展和存在 的一些问题 。全文分三个部分 ,首先概述了基于自旋极化散射和自旋极化隧穿两种输运机制 的磁电阻理论 ;然后重点介绍掺杂稀土锰氧化物低场磁电阻增强的主要研究进展 ,这些进展 背后的基本物理图象是通过人为引入 自旋无序介质形成自旋极化散射和自旋极化隧穿 ,从而 增强其低场磁电阻;第三部分讨论了基于掺杂稀土锰氧化物的磁性隧道结制备和输运性质 。 本文最后提出了锰氧化物低场磁电阻增强研究应该关注的一些物理问题 。 掺杂锰氧化物 ;低场磁电阻效应 ;磁隧道结 关键字 : 　 中图分类号 : 　O482 . 5 　　　　　　　文献标识码 :A 0 　引言 继高温超导体的发现和广泛深入的研究热潮之后 ,凝聚态物理学中重要的分支领域 ( 强关联电子系统和钙钛矿氧化物物理因二价碱土金属掺杂的钙钛矿稀土锰氧化物 例如 ) ( L a1 - xA x MnO3 , A = Ca , Sr , Ba 等 在外磁场下所展示 的特大磁 电阻效应 Colo ssal Magnetoresist ance , CMR) 的发现而激发出一个新的研究热潮[ 1 ] 。这类 CMR 锰氧化物是 一类典型的电子强关联系统 ,具有新颖的电子输运和 自旋输运特性 。未掺杂的稀土锰氧 化物多数是绝缘体并具有反铁磁性 ,而掺杂后的氧化物则在低温下显示铁磁性和金属性 ( 电导 ,在高温 区则表现 出非 晶固体和掺杂半导体 中常见 的变域巡游 variable- ran ge- ) ( ) hopping , V RH 导电,或因电子与晶格相互作用 如小极化子机制 , small polaron 而呈现 绝缘体特征 。在双交换作用模型的框架下 ,CMR 极大值出现在金属- 绝缘性转变和居里 温度附近[ 1 ,2 ] 。另外 ,一系列不同组份的锰氧化物在低温下出现由金属向电荷有序态的 收稿 日期 : 20030 119 ( ) ( ) 基金项 目: 国家自然科学基金会 ; 国家 973 计划 G199806 1400 ; 固体微结构实验室资助 Email : liuj m @nj u . edu . cn 　电话 :025 - 3596595 　2 期 王克锋等 :稀土锰氧化物的低场磁电阻效应 193 转变 。现在已经确认 ,在这类电子强关联体系中同时存在电荷序 、自旋序和轨道序 ,它们 相互耦合也相互竞争 。这一系列新颖物理现象同时出现在一个物理系统 ,并且相互耦合 ,