Sic MOSFET管10A1200V_CMF10120D.pdfVIP

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2017-09-22 发布于河南
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Sic MOSFET管10A1200V_CMF10120D

CMF10120D-Silicon Carbide Power MOSFET V = 1200 V Z-Fe TTM M OSFET DS I = 24 A N-Channel Enhancement Mode D(MAX) R = 160mΩ DS(on) Features Package • High Speed Switching with Low Capacitances • High Blocking Voltage with Low RDS(on) • Easy to Parallel and Simple to Drive • Avalanche Ruggedness • Resistant to Latch-Up • Halogen Free, RoHS Compliant Benefits TO-247-3 • Higher System Efficiency • Reduced Cooling Requirements • Increased System Switching Frequency Applications • Solar Inverters • High Voltage DC/DC Converters • Motor Drives Part Number Package • Switch Mode Power Supplies CMF10120D TO-247-3 Maximum Ratings (T = 25˚C unless otherwise specified) C Symbol Parameter Value Unit Test Conditions Note 24 VGS@20V, TC = 25˚C ID Continuous Drain Current A Fig. 10