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第二章 一、单选题(每题1分) 1. 对集中选频放大器下列说法不正确的是（ ）。 A. 集中选频放大器具有接近理想矩形的幅频特性； B. 集中选频放大器具有选择性好、调谐方便等优点； C. 集中选频放大器可用陶瓷滤波器构成。 2. 单调谐放大器中，Qe对选择性和通频带的影响是（ ）。 A. Qe 越大，选择性越好，通频带越宽 B. Qe 越大，选择性越好，通频带越窄 C. Qe 越大，选择性越差，通频带越窄 3. 单调谐放大器的通频带与回路有载品质因素及谐振频率的关系为（ ）。 A. B. C. 4. 单调谐小信号放大器中，并联谐振回路作为负载时常采用抽头接入，其目的是（ ） A.展宽通频带 B.提高工作频率 C.减小晶体管及负载对回路的影响 5. 单调谐小信号放大器多级级联，其总通频带将（ ）。 A.增大 B.减小 C.不变 6. LC并联谐振回路两端并联一电阻后,回路的通频带将会( )。 A.缩小 B.展宽 C.不变 7. 并联谐振回路的矩形系数为( )。 A.≈10 B.与Q值有关 C.与谐振频率有关 8. LC并联谐振回路相移频率特性在谐振频率处的斜率是（ ）。 A.负值 B.正值 C.零 9. LC并联谐振回路谐振时，回路相移为（ ）。 A.零 B.+90° C.-90° 10. LC并联谐振回路谐振时其等效阻抗为（ ）。 A.零 B.小且为纯电阻 C.大且为纯电阻 二、判断题(每题1分)1. 单谐振回路的Q值越大，选择性越好,所以矩形系数越小。( ) 2. 谐振回路Q值越高,谐振曲线越尖锐,选择性越差,而通频带越窄。( ) 3. 谐振回路Q值越高,谐振曲线越尖锐,选择性越好,而通频带越窄。( ) 4. 单谐振回路的Q值越大，其通频带越窄,矩形系数越小。( ) 5. 单谐振回路的矩形系数是一个常数，与回路的Q值及谐振频率无关。( ) 6. 单谐振回路的通频带与回路Q值成正比,与谐振频率成反比。( ) 7. LC谐振回路Q值越高,谐振曲线越尖锐,选择性越好,而通频带越宽。( ) 8. 选频网络的矩形系数越小越好。( ) 9. 陶瓷片具有压电谐振特性，所以用它可构成集中选频滤波器。（ ） 10. 引起小信号谐振放大器工作不稳定的主要原因是晶体管存在Cb′c。（ ） 11. 选择性是指放大器从各种不同频率信号总和中选出有用信号，排除干扰信号的能力。（ ） 12. 小信号调谐放大器的通频带只与回路的有载品质因素有关。（ ） 13. 单调谐放大器的选择性与通频带之间存在矛盾，Qe越大，选择性越好，但通频带越窄。（ ） 14. 单调谐放大器中，并联谐振回路作为负载时常采用抽头接入，其目的是为了提高放大器的效率。（ ） 15. 集中选频放大器具有接近理想矩形的幅频特性，因此选择性好，调谐方便，所以获得广泛应用。（ ） 16. 并联谐振回路的有载品质因素应该越大越好。( ) 三、填空题(每题1分) 1. 小信号谐振放大器性能与谐振回路的等效品质因素Qe有密切关系，Qe越大，其谐振曲线越（ ），谐振增益越（ ），选择性越（ ），通频带越（ ）。 2. LC并联谐振回路谐振时，回路相移为（ ），高于谐振频率相移为（ ），低于谐振频率相移为（ ）。 3. LC并联谐振回路中，Q值越大，其谐振曲线越（ ），通频带越（ ），选择性越（ ）。 4. LC并联谐振回路Q值越小，回路谐振电阻越（ ），抑制干扰能力越（ ），通频带越（ ）。 5. LC并联谐振回路的通频带与回路Q值成（ ）比，与谐振频率成（ ）比。 6. LC并联谐振回路的L=100μH，C=100pF，r=10Ω，该回路的谐振频率为（ ）Hz，品质因素为（ ），谐振电阻为（ ）Ω。 7. 信号源的输出电阻及负载电阻会使并联谐振回路的等效品质因素（ ），选择性（ ），通频带（ ）。 8. 采用阻抗变换电路，可使信号源及负载对谐振回路的影响减小，常用的阻抗变换电路有（ ）电路等。 9. LC并联谐振回路中，只增大回路电容时，其谐振频率会（ ），品质因素会（ ），谐振电阻会（ ）。 10. LC并联谐振回路谐振时，回路阻抗为最大且为（ ），高于谐振频率时回路阻抗呈（ ）性,低于谐振频率时回路阻抗呈（ ）性。 11. 12. 声表面波滤波器具有工作频率（ ），矩形系数（ ），稳定性（ ）等优点。 13. 小信号谐振放大器用来对高频小信号进行（ ），它工作在（ ）类状态，造成调谐放大器不稳定的内部因素是（ ）。 14. 单调谐放大器多级级联后其谐振增益（ ），选择性（ ），通频带（ ）。 15. 单调谐放大器，当谐振频率一定，回路有载品质因素增加时，谐振增益（ ），通频带（ ），矩形系数（ ）。 16. 小信号谐振放大器的负载采用（ ），工作在（ ）类状态，它具有（ ）作用。 17. 陶