2012年半导体物理第六章-1++.ppt

2012年半导体物理第六章-1

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * ? 2. 扩散电容 正偏压,空穴p注入n区,在势垒区与n区边界n区一侧一个扩散长度内,形成非平衡空穴和电子和积累,同样在p区与有非平衡电子和空穴的积累。 正向偏压增加,p区注入n区空穴增加,注入空穴一部分扩散,一部分增加n区空穴积累,增加浓度梯度。 正向偏压减少,相反。 ? 外加电压变化 n区扩散区内积累的非平衡空穴也变化,与它保持电中性的电子也相应变化。 p区扩散区内积累的非平衡电子和与它保持电中性的空穴也要变化。 扩散区电荷数量随外加电压变化产生的电容效应,称pn结的扩散电容,用CD表示。 ? 固定直流偏压V,叠加一个微小交流电压dV,微小的电压变化dV所引起的电荷变化dQ,称为这个直流偏压下的微分电容,即

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档