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2017-12-07 发布于浙江
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型平面非平衡磁控溅射靶的优化的设计.pdf

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型平面非平衡磁控溅射靶的优化的设计

第37卷第3期人工晶体．学报 V01．37No．3 OFSYNTHETIC 2008年6月 JOURNAL CRYSTALS June，2008 圆型平面非平衡磁控溅射靶的优化设计马剑平，刘艳涛 (西安理工大学电子工程系。西安710048) 摘要：非平衡磁控溅射技术的关键就是设计非平衡磁控溅射靶的靶面磁场分布。改善靶面横向磁场分布的均匀性是提高靶材利用率的有效途径。通过磁场的有限元分析，得到了圆型平面非平衡磁控溅射靶结构参数对靶面磁场均匀性和强度的影响，给出了非平衡磁控溅射靶的优化设计结构，并与实验结果进行了对比分析，靶面磁场强度和分布均匀性得以明显改善。关键词：磁控溅射；有限元；横向分量中图分类号：TN305 文献标识码：A ofCircularPlaneUnbalanced Design Optimization Source MagnetronSputtering MA Yan-too Jian-ping，LIU ofElectronics of University (Department En画necring，xihTechnology，Ⅺ，柚710048，China) 18 (Rece／vedS舭，，撕200I，accepted20November2007) transverse of flux is thataffecttheutilizationrateof Abstract：Thecomponentmagneticintensitypivotal 1t．8 as all materialand of film wellthe ofthe target deposition instability process．Its quality sputtering that ofthedistributionoftransverse onthesurfacefor efficiencyapproachoptimizationdesign component thecircularunbalanced distributionofthetransverse plane magnetronsputteringtarget．The component OHthe was meansofthefiniteelement as surfacecalculated well target by