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- 2017-09-23 发布于河南
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PMWD19UN,518;中文规格书,Datasheet资料
PMWD19UN
Dual µTrenchMOS™ ultra low level FET
Rev. 01 — 20 December 2002 Product data
M3D647
1. Product profile
1.1 Description
Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS™ technology.
Product availability:
PMWD19UN in SOT530-
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