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第6章-1_清华大学半导体物理与器件
第六章 同质pn结
同质—— 同种半导体材料
pn结的形成：合金、扩散、离子注入等
合金 扩散 离子注入
1
杂质分布（剖面）
x ——结深，n 区p 区交界处（如何定义交界？）
j 2
p型 n型
几个需要搞清楚的问题：
1、pn结中载流子的分布是怎样的？
2、pn结中的电场是怎样的？
3、电势分布（能带图）是怎样的情况？
4、pn结中的电流是由哪些过程形成的？
3
§6.1 热平衡条件下的pn结
E E
Cp Cn
一. 空间电荷区和内建电场 EFn
E
一块n 型半导体，一块p 型 EFp E
Vp Vn
半导体，各自为电中性。
将它们紧密接触，由于EF
（载流子浓度）不等引起：
电子由n 区→p 区。进入p 区后，一边继续扩散，一边
与p 区的空穴复合;
空穴由p 区→n 区。进入n 区后，一边继续扩散，一边
与n 区的电子复合。
载流子浓度不等 扩散流
4
扩散造成界面附近一定范围内：n 区电离施主得不到中
和，带正电，并随扩散而展宽；p 区电离受主得不到中
和，带负电，并随扩散而展宽。
电离施主、电离受主所带的电荷称为空间电荷。
载流子扩散→空间电荷→内建电场→漂移流。
热平衡：
扩散流= 漂移流。
pn 结中无净电流，p 区和n 区有
统一的EF。
电子和空穴形成的电流分别为零？
5
空间电荷所在区域称为空间电荷区（过渡区，耗尽区）。
xD 为空间电荷区宽度。
空间电荷区内：
正电荷= 负电荷
电场由n 区指向p 区
n 区相对p 区电势升高V
D
V 称为接触电势差
D
空间电荷区外：电荷ρ= 0 ，电场E = 0
6
二. 空间电荷区中电场，电势分布及pn 结能带图
在空间电荷区内求解泊松方程，一维：
d 2 V ( x ) ρ( x )
− (6.1)
dx 2 ε ε
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