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第一章-1-PN结及二极管
第一章集成电路元、器件基础
介绍半导体的有关基础知识,阐述PN结的原理及主要特性,
讨论以PN结为基本结构的双极型晶体三级管(BJT )和场效应管
(FET )的工作原理、特性及主要参数。
2014/3/4 北京航空航天大学202教研室 1
1.1 半导体基础知识
半导体的概念:导电能力处于导体和绝缘体之间的材料;
原子之间的共价键很弱。
2014/3/4 北京航空航天大学202教研室 2
现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,它们的最外层
电子(价电子)都是四个。
Ge Si
锗原子示意图 硅原子示意图
2014/3/4 北京航空航天大学202教研室 3
1.1.1 本征半导体
概念:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
2014/3/4 北京航空航天大学202教研室 4
在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体点阵,每个
原子都处在正四面体的中心,而四个其它原子位于四面体的顶
点,每个原子与其相邻的原子之间形成共价键,共用一对价电
子。
硅和锗的
晶体结构:
锗:灰白色结晶,质脆,有光泽,主要用来制造半导体晶体管
硅:褐色粉末,灰色晶体等形态,能构成高效率的晶体管
2014/3/4 北京航空航天大学202教研室 5
硅和锗的共价键结构:
共价键共
+4 +4 用电子对
+4表示除
去价电子 +4 +4
后的原子
2014/3/4 北京航空航天大学202教研室 6
形成共价键后,每个原子的最外层电子是八个,构成稳定结构。
共价键有很强的结
+4 +4 合力,使原子规则
排列,形成晶体。
+4 +4
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,
常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体
中的自由电子很少,所以本征半导体的导电能力很弱。
2014/3/4 北京航空航天大学202教研室 7
本征激发:本征半导体中的价电子在受热或者光照的情况下
获得能量从共价键中脱离出来成为自由电子的过程。
本征激发过程产生两种载流子:① 自由电子②空穴
复 合:自由电子落入空穴,使自由电子和空穴成对消失
的过程。
2014/3/4 北京航空航天大学202教研室 8
本征激发过程:
空穴 +4 +4 自由电子
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