氮化硼纳米片的电子结构和自旋调控 - 物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 5 (2013) 057302 氮化硼纳米片的电子结构和自旋调控 王道俊† ( 临沂大学汽车学院, 临沂 276005 ) ( 2012 年5 月6 日收到; 2012 年11 月5 日收到修改稿) 单层氮化硼纳米材料具有与石墨烯相似的原子排列方式, 但是由于硼原子和氮原子之间的电荷转移, 两种材料 的电子特性具有较大的差异. 本文采用Hubbard 模型和量子力学第一性原理计算相结合的方法研究了具有氢原子 饱和的锯齿型边界的三角形氮化硼纳米片(Nanoflake) 的电子结构, 发现：与相应的石墨烯纳米片不同, 出现在氮化 硼纳米片费米能级附近的零能态(zero-energy-states) 要么被电子完全占据, 要么是全空的, 表现出自旋简并的特点; 通过对氮化硼纳米片进行电子(或空穴) 掺杂可以有效地调控“零能态” 上的电子占据, 进而对氮化硼纳米片的自旋 进行调控. 这将为氮化硼纳米材料在自旋电子学等领域的应用提供重要的理论依据. 关键词: 氮化硼纳米片, 电子结构调控, Hubbard 模型, 量子力学第一性原理 PACS: 73.22.Pr, 73.21.La DOI: 10.7498/aps.62.057302 Nb 分别代表两套子晶格中碳原子的数目. 对于石 1 引言 墨烯电子的自旋极化和自旋调控的研究为其在自 旋电子学领域的应用以及新型碳磁体的开发奠定 石墨烯以其独特的结构和优异的性能成为近 了基础. 年来纳米科学研究的热点课题之一, 在纳米电子学 六方氮化硼(hexagonal boron nitride), 俗称“ 白 等多个领域展现出广泛的应用前景 1−3 . 石墨烯 石墨”, 具有与石墨相似的原子排列方式. 硼原子和 是一种零带隙的半导体材料, 导带和价带在布里 氮原子之间的电荷转移导致电子高度局域化, 因此 渊区(Brillouin zone) 的K 和K′ 点处相交, 具有较 六方氮化硼具有宽带隙半导体的特点. 目前实验上 高的电子迁移率. 更为有趣的是: 电子在K 和K′ 已经成功合成出与石墨烯结构相类似的氮化硼单 点附近满足线性色散关系, 形成所谓的“狄拉克锥 13 层结构 . 理论研究表明: 当氮化硼单层被切割 (Dirac cone)”, 其运动与无质量的狄拉克- 费米子 成零维纳米片1415 或一维纳米带16−18 时, 其电 (massless Dirac fermions) 相似, 遵从狄拉克方程. 因 子的自旋极化与材料边界原子结构以及悬挂键的 此通过研究“狄拉克锥” 附近电子可以模拟高能物 饱和方式密切相关. 例如, Du 等人采用量子力学第 理中的狄拉克费米子的运动行为. 此外, 石墨烯还 一性原理的计算方法研究了具有清洁边界的三角 表现出与传统半导体材料不同的特性, 如反常霍尔 形氮化硼纳米片的电子结构, 预言这类纳米片具有 效应和科恩隧穿等. 理想的石墨烯晶格中含有两 14 高自旋的基态 . 随后, Xi 等人的研究却指出: 这 类不等价的碳原子, 分别组成两套子晶格. 通过引 种清洁边界的氮化硼纳米片由于边界上悬挂键的 入空位缺陷或者将石墨烯切割成