详解第七章 半导体器件.pptVIP

NPN PNP 2、三极管的电流放大作用 仿真实验，读出IB、IC、IE 引入 在电路维修和故障分析中，常常要根据测量的电压，判定三极管是否正常工作，判定是三极管坏了还是电路其他元件坏了。就很有必要掌握三极管的三种工作状态及特点. 三极管的特性曲线 三、 三极管共发射极输入特性 1、三极管的输入特性 三极管的输出特性曲线 定义： 每一个固定的IB值，三极管的输出电流IC和输出电压VCE之间的对应关系。 （2）饱和区： ①VCE较小的区域。VCEVBE ②电流特点：IC不随IB的增大而变化。IB不能控制IC，IC VCC/RC ③饱和时的VCE值为饱和压降。VCES：硅管为0.3 V，锗管为0.1 V .电压条件:发射结、集电结都正偏，处于饱和  ①电流特点：IC受IB控制，ΔIC=βΔIB，具有电流放大作用。 ②恒流特性：IB一定，IC不随VCB变化，IC恒定。 ③电压条件：发射结正偏，集电结反偏，处于放大状态。  练习：1．判别三极管的工作状态 ，如果是PNP管呢 2、判断三极管的放大状态，各极名称、管型。 小结 三极管工作状态由偏置情况决定。 放 大 截 止 饱 和 发射结正偏 发射结反偏 发射结正偏 集电结反偏 或零 偏 集电结反偏 集电结正偏 7.3 晶闸管 教学目标： 1、掌握晶闸管的结构及符号。 2、掌握晶闸管的工作特性及主要参数。 * * * * * * * * * * * * * * * * IB 0mA 0.02mA 0.04mA 0.06mA IC 0mA 2mA 4mA 6mA IE 0mA 2.02mA 4.04mA 6.06mA 分析表格中数据，你能得出哪些结论？ （1）三个电极的电流分配关系 IE=IB+IC IC IE （2）三极管具有电流放大作用：直流电流放大系数 三极管的输入电流IB与输入电压VBE之间的关系 2．输入特性曲线 当VBE大于发射结死区电压时，（硅管约0.5V,锗管约0.2V）IB开始导通。VBE升高，IB就增大。导通后VBE的电压称为发射结正向电压或导通电压值，硅管为0.7 V，锗管约为0.3 V。 想一想：在饱和状态下，IB能控制IC吗？NPN管和PNP管的VE和VB的关系？ 三极管的等效电阻RCE是大还是小？相当于C、E怎么样? 饱和状态 （3）放大区： ？？？想一想：在放大状态下，IB能控制IC吗？ NPN管和PNP管的VE和VB的关系？ 三极管的等效电阻RCE有什么特点？IB控制RCE的吗? 总结：三极管工作状态由偏置情况决定。 管型 放大状态 饱 和状态 放 大状态 电压条件 发射结正偏 集电结反偏 发射结正偏或零 偏 ，集电结反偏 发射结正偏， 集电结正偏 电位条件 NPN VC＞VB＞VE VB≤VE VB＞VE，VB＞Vc PNP VC＜VB＜VE VB≥VE VB＜VE，VB＜VC 指导： ????1．中间电位值的为基极。 2．电位值接近基极的为发射极。电位值与基极相差较大的是集电极。 3．VBE约0.7V或接近，为NPN VBE约0.3V或接近，为PNP） 三种状态的特点 截止状态：IB=0，相当于开关断开，VCE=VG； 放大状态：IC=βIB或ΔIC=βΔIB，IB控制IC的变 化，而且具有恒流特点，即IB不变，IC不随ＶＣＥ而改变。 饱和状态：ＩＣ不能控制ＩＢ，ＶＣＥ＝ＶＣＥＳ＝硅管约0.3V，锗管约0.1V，相当于C、E间短路。 1、晶闸管的结构 2、晶闸管的外形 3、晶闸管的符号 4、晶闸管的等效电路 5、晶闸管的工作原理 　(1) 晶闸管加阳极负电压-UA时，晶闸管处于反向阻断状态 。 (2) 晶闸管加阳极正电压UA，控制极不加电压时，晶闸管处于正向阻断状态。 　　　　　　 6、分析 (3) 晶闸管加阳极正电压+UA，同时也加控制极正电压+UG，晶闸管导通。 (4) 要使导通的晶闸管截止，必须将阳极电压降至零或为负，使晶闸管阳极电流降至维持电流IH以下。　　 7、综上所述，可得如下结论： ① 晶闸管与硅整流二极管相似，都具有反向阻断能力，但晶闸管还具有正向阻断能力，即晶闸管正向导通必须具有一定的条件：阳极加正向电压，同时控制极也加正向触发电压。 ② 晶闸管一旦导通，控制极即失去控制作用。要使晶闸管重新关断，必须做到以下两点之一：一是将阳极电流减小到小于维持电流IH；二是将阳极电压减小到零或使之反向。