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电源设计中的若干问题 汪秀丰 2006 －3 －30 本文针对电源设计中经常遇到的几个问题 —— 热插拔、并联、防反接、EMC 等问题，结合实例进行了详述，以供今后设计中参 考与学习。 1、 热插拔 一般情况下，单板电源输入端有一个较大的滤波电容，DC-DC 电源转换模块也有一个输入电容。当单板插入正常供电的系统背板 时，系统电源会对这些电容瞬间充电（电容在上电瞬间具有虚短的特性），产生很大的暂态电流。这一暂态电流达到一定的程度 时，一方面会对单板上的铜脉线、器件、电源产生损坏，另一方面使系统电源产生波动，影响整个系统的供电。此问题俗称“电 源热插拔问题”。 为了抑止这种很大的瞬间电流，我们需要对单板的上电过程进行很好的人为控制。下面分别介绍几种常用的电源热插拔控制方 法。 1） 分离器件搭建缓起电路 首先回顾一下，MOSFET 器件的特点： a、 低导通电阻，导通后可在 mOHM 级别，未导通时随其控制电压改变； b 、 高导通电流，几十安培到上百安培； c、 电压控制通断，其控制电流很小uA 级别； d、 正、负极性不同电压控制通断，P 沟道 MOSFET 为负电压控制，N 沟道 MOSFET 为正电压控制。下面两图分别为N 沟道 MOSFET IRF530NS/L 、 P 沟道 MOSFET IRF7410 原理图符号和主要参数 。 图 1 IRF530NS/L （N －MOSFET ）原理图和主要参数 图2 IRF7410 （P －MOSFET ）原理图和主要参数 MOSFET 这些特点使其很适合做缓起电路，控制单板的上电过程，遏制上电瞬间产生恶性的冲击电流。根据应用电路的需要，可 以选择不同型号的MOSFET 搭建相应的缓起电路。原则上 N 沟道 MOSFET 用来控制负极性电压的缓起、P 沟 MOSFET 用来搭建 正极性电压的缓起。下面来列举几个实例，以便掌握这种技术。 例1 N 沟道 MOSFET——IRF530 控制 N48V 缓起——记 NetRing10G MPDC 单板 N48V 缓起方案 C5 C1 BGND_BP 1000pF/2000V 3 4 1000pF/2000V BGND BGND 3 4 C3 C4 R1 C11 + 1000pF/2000V NC 0.1u/100V C7 100K 47uF/100V 1 2 1000pF/2000V PGND 1 2 PGND C2 L1 FILTER R3 1 2 N48V_BP F1 1000pF/2000V C8 2 D1 33 缓起后 N48V 输出