S3C2440 SDRAM内存驱动.pdf

S3C2440 SDRAM 内存驱动 SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器)也就是通常所说的 内存.内存的工作原理,控制时序,及相关控制器的配置方法一直是嵌入式系统学习,开发过程中的一个难点. 我们从其硬件的角度来分析其原理,然后再引出SDRAM 的驱动编写过程. 内存是代码的执行空间,以PC 机为例,程序是以文件的形式保存在硬盘里面的,程序在运行之前先由操作系 统装载入内存中,由于内存是RAM(随机访问存储器),可以通过地址去定位一个字节的数据,CPU 在执行程 序时将PC 的值设置为程序在内存中的开始地址, CPU 会依次的从内存里取址,译码,执行,在内存没有被初 始化之前,内存好比是未建好的房子,是不能读取和存储数据的,因此我们要想让MTOS 运行在内存里必须 进行内存的初始化. 通用存储设备: 在介绍内存工作原理之前有必要了解下存储设备的存储方式:ROM,RAM l ROM(Read-Only Memory):只读存储器,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器.其特性是 一旦储存资料就无法再将之改变或删除.通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中,资料并且不会因 为电源关闭而消失.如:PC 里面的BIOS. l RAM(Random Access Memory) :随机访问存储器,存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速 度与存储单元的位置无关的存储器.可以理解为,当你给定一个随机有效的访问地址,RAM 会返回其存储内 容(随机寻址),它访问速度与地址的无关.这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间内 随机访问使用的程序.计算机系统里内存地址是一个四字节对齐的地址(32 位机),CPU 的取指,执行,存储都 是通过地址进行的,因此它可以用来做内存. RAM 按照硬件设计的不同,随机存储器又分为DRAM(Dynamic RAM)动态随机存储器和SRAM(Static RAM) 静态随机存储器. l DRAM:它的基本原件是小电容,电容可以在两个极板上短时间内保留电荷,可以通过两极之间有无电压差 代表计算机里的0和1,由于电容的物理特性,要定期的为其充电,否则数据会丢失.对电容的充电过程叫做刷 新,但是制作工艺较简单,体积小,便于集成化,经常做为计算机里内存制作原件.比如:PC 的内 存,SDRAM,DDR,DDR2,DDR3 等,缺点:由于要定期刷新存储介质,存取速度较慢. l SRAM:它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据.因此其存取速度 快,但是体积较大,功耗大,成本高,常用作存储容量不高,但存取速度快的场合,比如CPU 的L1 cache,L2cache(一级,二级缓存) ,寄存器. 为了满足开发的需要MINI2440 在出厂时搭载了三种存储介质: 1. NOR FLASH(2M):ROM 存储器,通常用来保存BootLoader,引导系统启动 2. NAND FLASH(256M,型号不一样,Nandflash 大小不一样):保存操作系统映像文件和文件系统 3. SDRAM(64M):内存,执行程序 l NORFLASH:它的特点是支持XIP 芯片内执行(eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash 闪存 内运行,不必再把代码读到系统RAM 中,也就是说可以随机寻址.NOR FLASH 的成本较高. l NAND FLASH:它能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快.其成本较 低,不支持XIP.可做嵌入式里的数据存储介质.如:手机存储卡,SD 卡等. 1. S3C2440 存储器地址段(Bank) S3C2440 对外引出了27 根地址线ADDR0~ADDR26,它最多能够寻址 128MB,而S3C2440 的寻址空 间可以达到1GB,这是由于S3C2440 将1GB 的地址空间分成了8 个BANKS(Bank0~Bank7),其中每一 个BANK 对应一根片选信号线nGCS0~nGCS7,当访问BANKx 的时候,nGCSx 管脚电平拉低,用来选中 外接设备, S3C2440 通过8 根选信号线和27 根地址线,就可以访问 1GB.如图2-48 所示. 图2-48 S3C2440 存储器BANK 如图所示,左侧图对应不使用Nandflash启动时(通过跳线设置),存储器Bank分布图,通常在这种启动方式 里选择Norflash 启动,将Norflash焊接在Bank0, 系统上电后,C