只读存储器ROM 幻灯片.pptVIP

* * 5.3 只读存储器ROM 5.3.1 ROM的分类及原理 根据制造工艺及应用功能不同，只读存储器分为掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM等几大类。 1．掩膜只读存储器ROM 掩膜ROM中储存的信息是在芯片制造过程中就固化好了的，用户只能选用而无法修改原存信息，故又称为固定只读存储器ROM。通常，用户可将自己设计好的程序（信息）委托生产厂家在生产芯片时进行固化（掩膜），但要根据用户程序（信息）制作专用的掩膜模具，该模具成本较高，故掩膜ROM适用于批量生产的产品。 2.可编程的只读存储器 PROM（Programmable ROM） PROM是指芯片出厂时初始信息为全1或全0的只读存储器（如图5.13），芯片出厂时，开关管T1与数据线之间以熔丝相连。用户可根据自己的需要，用电或光照的方法写入所需要的信息（熔断或保留熔丝以区分1和0）。但一经写入后，就只能读出，不能再更改（熔断后不能再连通）。 因此，用户使用PROM只能进行一次编程写入。 3．可擦除可编程的只读存储器 EPROM（Erasable PROM） EPROM是可以反复（通常多于100次）擦除原来写入的内容，更新写入新信息的只读存储器。EPROM成本较高，可靠性不如掩膜ROM和PROM，但由于它能多次改写，使用灵活，所以常用于产品研制开发阶段。EPROM的信息读出时间约为几百ns。 EPROM采用MOS工艺 4．电可擦除可编程的只读存储器EEPROM（Electrically Erasable PROM） EEPROM（也称为E2PROM），其主要特点是能在应用系统中进行在线读写，并在断电情况下保存的数据信息不丢失。EEPROM的擦除不需紫外光的照射，写入时也不需要专门的编程设备。 采用+5V电擦除的EEPROM，通常不需设置单独的擦除操作，可在写入的过程中自动擦除。EEPROM的另外一个优点是擦除时可以按字节分别进行（不像EPROM擦除时要把整个片子的内容通过紫外光照射全变为1），因而使用上比EPROM方便。 5.3.2 典型ROM芯片举例 1．EPROM 27128 Intel 27128是16K×8位EPROM，存取时间为250ns。 （1）引脚功能 14根地址线A13～A0，8根数据线O7～O0，片选线，输出允许线，编程控制线，工作电源Vcc，编程电源Vpp。 （2）工作方式——8种工作方式 Intel公司典型EPROM产品的主要性能指标如表所示。 DIP：Double In-line Package 双列直插式组装 2．EEPROM 2816A Intel 2816A 是2K×8位EEPROM，数据读出时间为200～250nS，擦除和写入（同时进行）为10mS，读工作电压和写（擦）工作电压均为5V，故不需要专门的编程器，且可实现在线读写。 *