光敏电阻-0927.pdf

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2017-09-25 发布于湖北
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光敏电阻-0927

2013-9-27 上节回顾半导体物理与光电效应量子力学简述能带理论半导体与光半导体二极管简介光电效应冷端 N P N P N P N P N P N P 绝缘陶瓷片半导体制冷热端半导体对光的吸收目录光敏电阻的原理光敏电阻的原理光敏电阻的分类光敏电阻的特点光敏电阻的主要参数光敏电阻的基本特性几种典型的光敏电阻半导体对光的吸收本征吸收非平衡载流子杂质吸收激子吸收光电效应自由载流子吸收半导体材料晶格吸收热能半导体对光的吸收电子能量E 导带自由电子所占能带 Eg 禁带不存在电子所占能带价带价电子所占能带被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度（E ）。 g Ge （锗） 0.66eV Si （硅） 1.12eV GaSe （砷化镓） 1.46eV 半导体对光的吸收导带本征吸收光电导要求是hvE g E hc 1.24 g   (m) L E E g g 价带 34 8 1 hc 6.626 10 (J s) 310 (m s )