双极性晶体管-BJT直流特性.pdfVIP

双极晶体管——BJT 直流特性 • 双极晶体管的结构及物理参数 • 理想晶体管的电流传输 • 实际晶体管（双扩散tr或离子注入＋扩散）的电流增益必须考虑的因素 • 小电流工作条件下，电流增益下降的现象 • E-M方程 • 大电流效应 • 基区宽度调制效应 • BJT的其他直流参数 双极晶体管——BJT 直流特性 N＋ N＋ 1. 双极晶体管的结构及物理参数 B E B 0 P N＋ P N- N－ xje xjc x N＋ x 经过补偿以后的杂质分布 Base xje xjc x WE WB WC Emitter 双极晶体管——BJT 直流特性 横向参数 基区尺寸：（集电极的尺寸）用AC表示；将由芯片的大小决定，而高 频器件必须考虑对频率参数的影响。 发射区尺寸：用AE表示；发射区的图形必须在基区以内，发射区的设 计是晶体管版图设计最重要的部分。 接触空尺寸：将考虑工艺能力，参数要求，尽量小的接触电阻，考虑 电流的均匀性和器件工作的可靠性。 金属Al图形：金属必须包孔，并给Bonding留下Pad。 纵向参数 ： 基区结深x ：（集电结的深度）x ＝W ＋W ；由工艺决定 jc jc E B 发射结深x ：x ＝W ；由工艺决定 je je E 外延层厚度t ：t ＝W ＋W ＋W ； 由材料决定 epi epi C B E 各工艺过程中的氧化层的厚度； 双极晶体管——BJT 直流特性 物理参数： 发射区表面浓度NSE及其杂质分布：高斯分布或余误差分布近似，由工 艺决定，工艺上可以通过监控R□E ； 发射区表面浓度NSB 及其杂质分布：高斯分布或余误差分布近似，由工 艺决定，工艺上可以通过监控R□B ； 外延层的掺杂浓度N ，衬底掺杂浓度N ，由材料决定； C sub 各区的电子、空穴的迁移率 各区的少子寿命 双极晶体管——BJT 直流特性 2. 理想晶体管中 的电流传输, 电流增益 晶体管的四种工 作状态： 正向有源区、 反向有源区、 截止区、饱和 区 正向有源区的载 流子输运 双极晶体管——BJT 直流特性 正向有源区时，BE结正偏，BC结反偏。 当BE结正偏时， 基区的多子空穴注入到发射区，形成J