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一类自突触作用下神经元电路的设计和模拟任国栋武刚马军
一类自突触作用下神经元电路的设计和模拟
任国栋 武刚 马军 陈旸
Simulationofelectricactivityofneuronbysettingupareliableneuronalcircuitdrivenbyelectricautapse
RenGuo-Dong WuGang MaJun ChenYang
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,058702(2015) DOI: 10.7498/aps.64.058702
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.058702
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I5
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一类自突触作用下神经元电路的设计和模拟
任国栋 武刚 马军 陈旸
(兰州理工大学物理系, 兰州 730050)
( 2014 年6 月20 日收到; 2014 年9 月30 日收到修改稿)
神经元在自突触作用下可以诱发各类放电活动的迁移, 神经元动作电位对电自突触的响应比较敏感. 通
常用包含延迟因子和增益的反馈回路电流来刻画自突触对神经元动作电位的影响. 基于Pspice 软件, 设计了
包含自突触效应的神经元电路, 用以延迟反馈电路来模拟电自突触对电位的调制作用. 研究结果发现: 1) 在
外界刺激和电自突触回路协同作用下, 神经元电路输出信号可以呈现静息态, 尖峰放电, 簇放电状态. 2) 在时
变增大的外界刺激下和自突触回路驱动下, 神经元电路的输出电位序列在多种电活动模式之间(静息, 尖峰放
电, 簇放电) 交替出现, 其机理在于自突触回路具有记忆特性, 神经元对于不同的外界刺激可以做出不同模式
的响应. 3) 在给定比较大外界刺激下, 改变反馈回路的增益, 发现电路输出的序列也可以呈现不同模式交替,
即神经元对于相同的刺激可以通过自我调节自突触增益来产生不同模式的响应,
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