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二 极 管 一、晶体二极管 晶体二极管由一个PN结，两条电极引线和管壳构成。在PN结的两侧用导线引出加以封装，就是晶体二极管。晶体二极管的字母符号为V，其图形符号，结构示意图和外型如图所示： PN结的单向导电性 在同一块硅片或锗片上进行搀杂工艺处理，使其一部分是N型半导体，另一部分是P型半导体，则在两部分的分界面处就会形成一个特殊的空间电荷区------PN结。将PN结接入如图的实验电路中，可以看到PN结只能使电流单方向导通，且导通方向是从P型半导体到N型半导体，即P到N导通。PN结正向导通，反向截止，具有单向导电的特性。 二、二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现