β2HMX晶体结构及其性质的高水平计算研究-上海有机化学研究所.PDFVIP

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2017-10-02 发布于天津
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β2HMX晶体结构及其性质的高水平计算研究-上海有机化学研究所

2002 年第 60 卷化学学报 Vol. 60 , 2002 第 2 期 , 194～199 ACTA CHIMICA SINICA No. 2 , 194 ～199 β HMX 晶体结构及其性质的高水平计算研究姬广富a , b 　　肖鹤鸣 , a 　　董海山b ( a 南京理工大学化学系　南京 210094) ( b 中国工程物理研究院化工材料研究所　绵阳 621900) 摘要　对β 计算研究 ,求得其能带结构和电子结构 , 探讨了结构 - 性能关系. 从 HMX 晶体进行DFTB3LYP/ 631G - 1 ( 带隙约为 5. 7 eV 推知 HMX 晶体为绝缘体. 计算所得晶格间相互作用能为 14929 kJ ·mol ;计算的升华热 15408 kJ ·mol - 1) 与实验值相符. 晶体中相邻分子的硝基氧之间点电荷静电势极高 ,表明该处晶格易于断裂、并可能成为冲击引爆中心. 从原子间距和原子间重叠布居分析 ,发现β HMX 分子之间存在微弱的氢键 ;环外以硝胺键较弱 ,环内以 N —C 键较弱 ,预示该二部位易于引发分解和起爆. β 关键词　HMX 晶体 ,密度泛函理论 ,能带结构 , 电子结构 β High Level Calculations on Structure and Properties of Crystalline HMX J I , GuangFu a , b 　　XIAO , HeMing , a 　　DONG, HaiShanb ( a Department of Chemistry , Nanjing University of Science Technology , Nanjing 210094) ( b ) Institute of Chemical Materials , China Academy of Engineering Physics , Mianyang 621900 β Abstract 　The banding and electronic structures and some properties of crystalline HMX are investigated at DFT