BN掺杂和填隙对C和LCMO地结构、物性地影响.pdfVIP

的样品分为膜，块材，以及他们做的样品进行了比较，从这些可能的数据分析中，他 们发现这些转换性质和磁性质之间（即磁有序温度T , 饱和磁化强度Ms 和电阻率ρ 之 c 间）存在一种恒定的关系。这种关系为：（1）当Tc 减小时，ρ 最大值增加；（2 ）ρ 0 0 最大值一般发生在T=Tc 处；（3 ）样品产生的最大磁阻值ρ / ρ是发生在最低的铁磁有 0 4 ）相同化合物的电阻率和磁化强度是有相互联系的。而且，这种金属 序温度区内；（ 到半导体和反铁磁到铁磁转变是产生CMR 的必要条件。因此，围绕这两个转变做了 大量的研究工作。 对于解释这种铁磁性和金属行为的起源，早在1950 年，Jonker Vansanten[23]第一 次研究了LaMnO3 是绝缘体，但是，当掺入一定量的二价杂质如Ca2+离子去替换部分 的La3+离子时，在掺杂浓度为X ≥ 0.3 范围内，它展示了铁磁性和金属电导性的特点。 对于铁磁性和电导性之间的这种显著的相互联系，Zener[24]提出了双交换相互作用模 型，用于解释这种现象产生的机制。在 50 年代，第一个铁磁氧化物被充分的研究的 [23] 是（La Ca ）MnO 系列 。 1-x x 3 1.1.3 影响CMR 效应的一些因素 （1）离子半径对磁电阻的影响 Hwang [25] 等人 比较详细地研究了La － Pr Ca MnO 多晶的磁电阻与x 的关系。 0.7 x x 0.3 3 当Pr 逐渐增多时，Tp 不断向低温移动。实验结果可以理解为稀土离子平均半径r 减 R 小，使公差因子t 变小，居里点下降。 （2 ）压力对磁电阻的影响 Moritomo [26] 等人 加等静压方法，研究了La － Sr MnO 材料的电阻率和Tc 随压力 1 x x 3 的变化。与此同时， [27] J. J. Neumeier 等人 也用此法研究了La － Ca MnO ，当掺杂在 1 x x 3 x=0.21 ，0.33 ，0.40 时，压力不同对电阻率随温度的关系的影响。他们都发现压力的 作用和磁场的作用结果极其相似。这种相似性可能和在 Tc 附近具有大磁致伸缩（对 −4 [13] La0.6Y0.07Ca0.33MnO3 线和体磁致伸缩均在10 量级 ），或与晶格结构的畸变相关联。 （3 ）制备条件对薄膜材料的CMR 的影响 [28] 熊光成等人 研究了两种体系Nd0.7Sr0.3MnO3 和La0.67Ba0.33MnO3 薄膜的GMR 效 应。他们发现：基片沉积温度不同、退火条件不同都会影响GMR 效应。电阻率的极 值随基片温度的升高而下降，但极值对应的温度Tp 上升。 3 （4 ）膜厚对GMR 的影响 S.Jin [29] 等人 发现：GMR 效应强烈的依赖于薄膜的厚度。在一定的范围内，GMR 效应最大。熊光成等人也做了这