微晶硅薄膜的制备及X射线衍射现象的分析.docVIP

微晶硅薄膜的制备及X射线衍射现象的分析 钱丽敏（学号：200） （物理与电子信息学院 物理学专业200级汉班，内蒙古 呼和浩特 010022） 指导教师：。纳米晶硅薄膜材料由纳米量级(1～10 nm) 的晶粒和晶粒间界组成,它是一种既不同于单晶硅和多晶硅，又不同于非晶硅和微晶硅的一种独特的人工合成薄膜材料。制备的基本原理是把纳米粒子直接沉淀在低温基片上。研究表明,纳米晶硅薄膜具有如量子尺寸效应、量子隧道效应、表面效应等量子现象和独特的光学和电学特性。纳米晶硅薄膜是集晶体硅材料和氢化非晶硅薄膜优点于一体 , 可望广泛应用于薄膜太阳能电池、 光存储器 、 发光二极管和薄膜晶体管等光电器件的一种新型功能材料。 为了使化学反应在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相技术。这种技术的实验机理：借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。PECVD具有设备简单，技术成熟，沉积温度低，成膜质量好等优点，通过对沉积参数的调制和优化，可以制备出优质的微晶硅薄膜。 用做好的薄膜做X射线衍射，并对其进行分析。X射线衍射分析（X-ray diffraction，简称XRD），是利用晶体形成的X射线衍射，对物质进行内部原子在空间分布状况的结构分析方法。将具有一定波长的X射线照射到结晶性物质上时，X射线因在结晶内遇到规则排列的原子或离子而发生散射，散射的X射线在某些方向上相位得到加强，从而显示与结晶结构相对应的特有的衍射现象。X射线衍射方法具有不损伤样品、无污染、快捷、测量精度高、能得到有关晶体完整性的大量信息等优点。 。纳米晶硅薄膜材料由纳米量级(1～10 nm) 的晶粒和晶粒间界组成,它是一种既不同于单晶硅和多晶硅，又不同于非晶硅和微晶硅的一种独特的人工合成薄膜材料。制备的基本原理是把纳米粒子直接沉淀在低温基片上。为了能够制备出具有高质量的nc-Si:H膜，国内外许多研究者己尝试了多种生长方法，归纳起来大体可以分为两类。一类是物理沉积方法，如射频溅射、真空蒸发和激光烧蚀等均属此类方法。另一类则是化学沉积方法，如等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)，这种方法等离子增强化学气相沉积简称PECVD（ Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition）。等离子体增强化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温实现。由于PECVD方法的主要应用领域是一些绝缘介质薄膜的低温沉积，因而PECVD技术中等离子体的产生也多借助于射频的方法优点基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔少，不易龟裂。缺点设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高；涂层过程中产生的剧烈噪音、辐射、有害气体、金属蒸汽粉等对人体有害 2.1.1 玻璃片的处理 本实验将Cor2ning 7059 玻璃片依次用浓硫酸、双氧水煮沸去掉其重离子并用酒精丙酮擦洗去掉其上油脂，并采用超声波处理。 2.1.2气体选取 本实验气体选取为高纯度的硅烷和氢气。其浓度为99.999％。 2.1.3 薄膜沉积 在纳米创薄膜沉积过程中，硅烷气体经过多次分解，其过程非常复杂。而且 不同沉积条件，会对硅烷气体的分解产生不同的影响，下面只对某种特定的沉积 条件下的情况：本试验采取的沉积环境为:衬底温度350℃，氢气气体流量为50sccm，硅烷气体流量为 2.0sccm ，射频功率30W，背景真空度为5 ，沉积气压133Pa;极板间距为25mm沉积时间60min。经过以上实验过程，最终得到不同厚度纳米晶硅薄膜。 3 X射线衍射 X射线及其衍射 X射线是一种波长很短(约为20～0.06埃)的电磁波，能穿透一定厚度的物质，并能使荧光物质发光、照相乳胶感光、气体电离。在用高能电子束轰击金属“靶”材产生X射线，它具有与靶中元素相对应的特定波长，称为特征（或标识）X射线。考虑到X射线的波长和晶体内部原子面间的距离相近，1912年德国物理学家劳厄(M.von Laue)提出一个重要的科学预见：晶体可以作为X射线的空间衍射光栅,即当一束 X射线通过晶体时将发生衍射，衍射波叠加的结果使射线的强度在某