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薄膜电池技术－非硅基薄膜 PV/NCU 薄膜电池简介 PV/NCU 薄膜电池种类 硅基薄膜电池 非晶硅单结、微晶硅单结 非晶硅/微晶硅叠结 CIGS （铜铟镓硒） CdTe （碲化镉） Ⅲ-Ⅵ族化合物电池 有机化合物电池 染料敏化电池 ……………… 内容提要 PV/NCU 碲化镉（CdTe ）薄膜电池 铜铟镓硒（CIGS ）薄膜电池 Ⅲ-Ⅴ化合物薄膜电池 CdTe薄膜电池 PV/NCU 碲化镉简介 CdTe为多晶结构，通常为p型掺杂，带隙宽度为1.45eV，正好 位于理想光伏电池的能隙范围内。 吸收系数较大，105cm-1 ，2um厚的CdTe即可吸收99%的太阳 光。 N-CdS 的禁带宽度约为2.4eV，在电池中作为“窗口层”，该 层一般很薄（～0.5um ）。 CdTe薄膜电池 PV/NCU CdTe薄膜电池组件结构 CdTe薄膜电池 PV/NCU CdTe薄膜电池组件制备流程 CdTe薄膜电池 PV/NCU CdTe薄膜电池组件制备－玻璃基板的选择 CdTe 电池的制备需经过四五百℃的高温，因此选用耐高温的 硼玻璃基板，有利于电池性能的提高，效率可达16%；如果 选用成本较低的纳钙玻璃，其效率会有所下降（12%）。 为提高电池的效率，还可在玻璃基板上镀一层抗反射层以增 加对光线的吸收。 CdTe薄膜电池 PV/NCU CdTe薄膜电池组件制备－PN结的制备方法 共蒸发法 近空间升华法 电解沉积 溅射沉积…… CdTe薄膜电池 PV/NCU CdTe薄膜电池组件制备－PN结制备 近空间蒸发法可得到接近平衡态的CdTe薄膜，并可通过控制蒸发源 的比例精确控制薄膜的组分，制备CdTe的生长速率可达1um/min。 CdTe 电池制造流程涉及温度较高，会导致CdTe与CdS层之间扩散， 在界面处形成CdTe S 的合金成份。从而导致CdS层禁带宽度的降低， 1-x