集成电路习题解答(第4单元).docVIP

复习题 ULSI中对光刻技术的基本要求？ 答：一般来说，在ULSI中对光刻技术的基本要求包括五方面：①高分辨率。随着集成电路集成度的不断提高，加工的线条越来越精细，要求光刻的图形具有高分辨率。在集成电路工艺中，通常把线宽作为光刻水平的标志，一般也可以用加工图形线宽的能力来代表集成电路的工艺水平。②高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。在集成电路工艺中为了提高产品的产量，希望曝光时间愈短愈好。为了减小曝光所需的时间，需要使用高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度与光刻胶的成份以及光刻工艺条件都有关系，而且伴随着灵敏度的提高往往会使光刻胶的其它属性变差。因此，在确保光刻胶各项属性均为优异的前提下，提高光刻胶的灵敏度已经成为了重要的研究课题。③低缺陷。在集成电路芯片的加工过程中，如果在器件上产生一个缺陷，即使缺陷的尺寸小于图形的线宽，也可能会使整个芯片失效。通常芯片的制作过程需要经过几十步甚至上百步的工序，在整个工艺流程中一般需要经过10~20次左右的光刻，而每次光刻工艺中都有可能引入缺陷。在光刻中引入缺陷所造成的影响比其他工艺更为严重。由于缺陷直接关系到成品率，所以对缺陷的产生原因和对缺陷的控制就成为重要的研究课题。④精密的套刻对准。集成电路芯片的制造需要经过多次光刻，在各次曝光图形之间要相互套准。ULSI中的图形线宽在1μm以下，因此对套刻的要求也就非常高。一般器件结构允许的套刻精度为线宽的±10%左右。这种要求单纯依靠高精度机械加工和人工手动操作已很难实现，通常要采用自动套刻对准技术。⑤对大尺寸硅片的加工。集成电路芯片的面积很小，即便对于ULSI的芯片尺寸也只有1~2cm2左右。为了提高经济效益和硅片利用率，一般采用大尺寸的硅片，也就是在一个硅片上一次同时制作很多完全相同的芯片。采用大尺寸的硅片带来了一系列的技术问题。对于光刻而言，在大尺寸硅片上满足前述的要求难度更大。而且环境温度的变化也会引起硅片的形变（膨胀或收缩），这对于光刻也是一个难题。 什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些？ 答：光刻(photolithography)是一般的光刻工艺要经历、涂胶、烘、曝光、显影、、刻蚀、检工序。②加速旋转托盘(硅片)，直至达到需要的旋转速度；③达到所需的旋转速度后，保持一定时间的旋转。 （3）前烘就是在一定的温度下，使光刻胶膜里面的溶剂缓慢地、充分地逸出来，使光刻胶膜干燥，其目的是增加光刻胶与衬底间的粘附性，增强胶膜的光吸收和抗腐蚀能力，以及缓和涂胶过程中胶膜内产生的应力等。 （4）曝光是使光刻掩模版与涂上光刻胶的衬底对准，用光源经过光刻掩模版照射衬底，使接受到光照的光刻胶的光学特性发生变化。曝光中要特别注意曝光光源的选择和对准。 （5）曝光后在光刻胶层中形成的潜在图形，经过显影便显现出来，形成三维光刻胶图形，这一步骤称为显影。 （6）坚膜也是一个热处理步骤，就是在一定的温度下，对显影后的衬底进行烘焙。坚膜的主要作用是除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力，同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力。 （7）在显影和烘焙之后就要完成光刻掩膜工艺的第一次质检，通常叫显影检验。检验的目的是区分那些有很低可能性通过最终掩膜检验的衬底；提供工艺性能和工艺控制数据；以及分拣出需要重做的衬底。 （8）刻蚀就是将涂胶前所淀积的薄膜中没有被光刻胶（经过曝光和显影后的）覆盖和保护的那部分去除掉，达到将光刻胶上的图形转移到其下层材料上的目的。 （9）光刻胶除了在光刻过程中用作从光刻掩模版到衬底的图形转移媒介，还用做刻蚀时不需刻蚀区域的保护膜。当刻蚀完成后，光刻胶已经不再有用，需要将其彻底去除，完成这一过程的工序就是去胶。此外，刻蚀过程中残留的各种试剂也要清除掉 （10）基本的光刻工艺过程中，最终步骤是检验。衬底在入射白光或紫外光下首先接受表面目检，以检查污点和大的微粒污染。之后是显微镜检验或自动检验来检验缺陷和图案变形。对于特定的光刻版级别的关键尺寸的测量也是最终检验的一部分。对光刻质量的检测手段主要有：显微镜目检、线宽控制和对准检查。 光刻技术中的常见问题有那些？ 答：半导体器件和集成电路的制造对光刻质量有如下要求：一是刻蚀的图形完整，尺寸准确，边缘整齐陡直；二是图形内没有针孔；三是图形外没有残留的被腐蚀物质。同时要求图形套刻准确，无污染等等。但在光刻过程中，常出现浮胶、毛刺、钻蚀、针孔和小岛等缺陷。 浮胶就是在显影和腐蚀过程中，由于化学试剂不断侵入光刻胶膜与SiO2或其它薄膜间的界面，所引起的光刻胶图形胶膜皱起或剥落的现象。所以，浮胶现象的产生与胶膜的粘附性有密切关系。 腐蚀时，如果腐蚀液渗透光刻胶膜的边缘，会使图形边缘受到腐蚀，从而破坏掩蔽扩散的氧化层或铝条的完整性。若渗透腐蚀较轻，图形边缘出现针状的局部破