利用同步测量研究二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性.pdfVIP

第33卷第4期 红外与毫米波学报 v01．33，№．4 2014年8月 J．InfraredMillim．Waves August，2014 文章编号：100l一9014(2014)04—0426—04 利用同步测量研究二氧化钒薄膜的 电学与光学相变特性 杨 伟1， 梁继然1’-， 姬 扬h， 刘 剑1 (1．中国科学院半导体研究所，北京100083； 2．天津大学电子信息工程学院，天津300072) 摘要：利用射频磁控溅射方法在蓝宝石衬底上制备了氧化钒薄膜，x射线衍射的测量结果表明薄膜的主要成分是 多晶二氧化钒．实现了二氧化钒薄膜半导体一金属相变过程的电阻和五个不同波长下薄膜反射率的同步测量．实验 结果表明，电学和光学测量都在相变过程中出现回滞曲线，但是二者的表现形式有明显差别．当用光学方法探测 时，同一次相变过程中不同区域的反射率曲线几乎完全重合，证明了薄膜样品的均匀性． 关键词：二氧化钒薄膜；电学方法；光学方法；同步测量；反射率 中图分类号：0484；0472文献标识码：A Electricaland ofvanadiumdioxide optical properties thinfilmat transition phase YANG Jianl Weil，HANGJi-Ranl”，JIYangh，LIU of of (1．InstituteSemiconductors，Chinese AcademySciences，Beijing100083； 2．SchoolofelectronicandInformation Engineering，TianjinUniversity，Tianjin300072) oxidethinfilmwas on RF re- Abstract：Vanadium depositedsapphireby magnetron suitshowsthatthethinfilmiS of vanadiumdioxide．Theresistanceofthethinfilmand composed mainly polycrystalline its atfivedifferent weremeasured thesemiconductor-metal reflectivity wavelengths optical simultaneouslyduring phase and show dif- transition．W11ilebothresistance measurements have reflectiv