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利用复合磨粒抛光液的硅片化学机械抛光.pdf
第17卷第7期 光学精密-丁程 V01．17No．7
Precision
and Engineering
2009年7月 Optics Jul．2009
文章编号 1004—924X(2009)07—1587—07
利用复合磨粒抛光液的硅片化学机械抛光
许雪峰，马 冰迅，黄亦申，彭 伟
(浙江工业大学机械制造及自动化教育部重点实验室，浙江杭州310032)
摘要：为了提高硅片的抛光速率。利用复合磨村抛光液对硅片进行化学机械抛光。分析了SiOz磨粒与聚苯乙烯粒子在
溶液中的f电f诳及粒子间的相瓦作用机制，观察到Si()：磨粒吸附在聚苯乙烯及某种氨基树脂粒子表面的现象。通过向
单一磨粒抛光液中加入聚合物粒子的方法获得了复合磨粒抛光液。对硅片传统化学机械抛光与利用复合磨粒抛光液的
化学机械抛光进行了抛光性能研究，提出了利用复合磨粒抛光液的化学机械抛光技术的材料去除机理，并分析r抛光工
艺参数对抛光速率的影响。实验结果屁示，利用单一Si(kz磨料抛光液对硅片进行抛光的抛光速率为180nm／min；利用
nm／min和324
siQ磨料与聚苯乙烯粒子或某氨基树脂粒子形成的复合磨粒抛光液对硅片进行抛光的抛光速率分别为273
nm／min。结果表明，利用复合磨粒抛光液对硅片进行抛光提高J，抛光速率，并町获得Ra为0．2nnl的光滑表面。
关键词：化学机械抛光；硅片；复合磨粒；聚合物粒子
中图分类号：TN305．2文献标识码：A
Chemicalmechanicalforsiliconwafer abrasive
polishing bycompositeslurry
XU UANG Wei
Xue—feng，MABing—xun，HYi—shen，PENG
Mechanical and Education，
(Key ManufactureAutomation，Ministry
Laboratoryof of
310032，China)
ZhejiangUniversityofTechnology，Hangzhou
ordertoincreasethe rateforasilicon abrasivewas
Abstract：In polishing wafer，thecompositeslurry
usedinChemicalMechanical ofsilicaabrasivesand
Polishing(CMP)．Zetapotentials polystyrenepar—
inthe atvarious mechanismofinteractionsbetween
titles weremeasured values，andthe
slurry pH
silicaabrasivesand was silicaabrasiveswereobservedtoattachonto
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