光电子技术 张永林 第三章 光辐射探测器1.pptVIP

第三章 光辐射探测器 3.1 光辐射探测器的理论基础 ﹡光热效应 ﹡光电效应 3.1 光辐射探测器的 理论基础 光辐射探测器的物理效应主要是光热效应和光电效应。 3.2 光热探测器 3.2.1 热敏电阻 3.3 光电探测器 3.3.1 光电导器件 金属材料的电子逸出功 W —从费米能级至真空能级的能量差。 半导体材料的电子逸出功 良好的光电发射体，应该具备的基本条件： 光吸收系数大； 光电子逸出深度大 ； 表面势垒低 。 金属光电发射的量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区。 半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料(NEA)。 P型Si的光电子需克服的有效亲和势为 由于能级弯曲，使 这样就形成了负电子亲和势。 正电子亲和势材料的阈值波长 负电子亲和势材料的阈值波长 从而光谱响应可扩展到可见、红外区。 3.1.3 光探测器的噪声 光探测器在光照下输出的电流或电压信号是在平均值上下随机起伏，即含有噪声。 用均方噪声 表示噪声值的大小。 噪声的功率谱 表示噪声功率随频率的变化关系。 光探测器中固有噪声主要有：热噪声、散粒噪声、 产生-复合噪声、1/f噪声、 温度噪声。 、热噪声 热噪声存在于任何导体与半导体中，是由于载流子的热运动而引起的随机起伏。 热噪声属于白噪声，降低温度和通带，可减少噪声功率。 二、散粒噪声 在光子发射、电子发射、电子流中存在的随机起伏 。 散粒噪声也属于白噪声。 三、产生-复合噪声 在半导体器件中，载流子不断地产生-复合，使得载流子浓度存在随机起伏。 四、1/f噪声 是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在。 多数器件的1/f噪声在200～300Hz以上已衰减为很低水平。 五、温度噪声 在光热探测器中，由于器件本身吸收和传导等热交换引起的温度起伏。 低频时 也具有白噪声性质。 光电探测器噪声功率谱综合示意图 3.1.4 光探测器的性能参数 一、光电特性和光照特性 光电流I,大小为微安级或毫安级。 光电特性 光照特性 线性度很重要。 二、光谱特性 光谱特性决定于光电器件的材料。 光谱特性对选择光电器件和光源有重要意义，应尽量使二者的光谱特性匹配。 光电器件的灵敏度（响应率） 光谱灵敏度 积分灵敏度 积分灵敏度不但与探测器有关，而且与采用的光源有关。 三、等效噪声功率和探测率 等效噪声功率 探测器的最小可探测功率 （噪声功率水平） 等效噪声功率越小，说明探测器本身的噪声水平低，探测器的性能越好。 用探测率D作为探测器探测能力的指标: 探测率D表明探测器探测单位入射辐射功率时的信噪比，其值越大越好。 归一化等效噪声功率为 归一化探测率为 在给出 时，常要标记出它们的测量条件 如D*(500K,800,50)。 四、响应时间与频率特性 如同光电导驰豫，光探测器对信号光的响应表现出惰性。 对于矩形光脉冲信号，其响应出现上升沿和下降沿，响应时间τ。 对于正弦型调制光，响应率随频率升高而降低 。 响应时间τ越小，频率特性越好。 由Mn、Ni、Co、Cu氧化物或Ge、Si、InSb等半导体做成的电阻器，其阻值随温度而变化，称为热敏电阻。 当它们吸收了光辐射，温度发生变化，从而引起电阻的阻值相应改变，将引起回路电流或电压的变化，这样就可以探测入射光通量。 正温度系数 负温度系数 3.2.2 热释电探测器 热释电探测器探测率高，是光热探测器中性能最好的。 一、工作原理 基于热电晶体的热释电效应。 热电晶体是压电晶体中的一种，它具有自发极化的特性。存在宏观的电偶极矩，面束缚电荷密度等于自发极化矢量Ps。 当用斩波器调制入射光，使矩形光脉冲（周期小于ΔQ的平均寿命）作用到热电晶体表面的黑吸收层上，交变的ΔT使得晶体表面始终存在正比于入射光强的极化电荷。这种现象称为热释电效应。 热释电探测器只能探测调制和脉冲辐射。 热释电器件的基本结构:是一个以热电晶体为电介质的平板电容器，Ps 的方向垂直于电容器的极板平面。 为热释电系数 二、基本电路 如果把辐射通量为 的光照射到热释电器件光敏面上，则其温升为 由它引起热释电电量变化 从而产生的电流为 输出电压为 电压响应率为 ， 也等于零，即不能响应恒定辐射 。 ω高频时， ，响应很差。 热释电探测器 适于接收低频调制光，约20HZ左右。 三、热释电器件的主要材料 常用的热电晶体材料有：硫酸三甘肽（TGS）钽酸锂（LiTaO3）等。还有一些陶瓷材料如钛锆酸铅（PZT）等。 不论哪种材料，都有一个特定温度，称居里温度。只有低于居里温度，材料才有自发极