铜在HOPG上电沉积过程的现场ECSTM研究.PDFVIP

第 2 卷　第 2 期 电化学 V o l. 2　N o. 2 1996 年 5 月 EL ECTROCH EM ISTR Y M ay. 1996 铜在HO PG 上电沉积过程的现场ECSTM 研究① 谢兆雄 　　毛秉伟　　卓向东　　穆纪千　　田昭武 ( 固体表面物理化学国家重点实验室, 厦门大学化学系, 厦门　361005) 摘要　用自制的电化学扫描隧道显微镜(ECSTM ) 现场研究Cu 在HO PG 上的电沉积过程. 结果表明Cu 在HO PG 上的电沉积为三维成核的过程. 当电位较低或Cu2+ 离子浓度较低时, 铜在 本体金属生长主要沿着台阶方向. 过电位较高时, 铜的成核数目增加, 沉积层的晶粒有所细化. 同