第六章金属半导体（MS）接触（Contact）.PDF

第六章 金属/半导体（M/S ）接触（Contact ） 第六章 金属/半导体（M/S ）接触（Contact ） 本章我们将介绍金属与半导体接触的能带特征以及载流子在 M/S结构中的输运规律。 §6.1 金属/半导体接触和肖特基势垒 § §6.2 实际肖特基势垒高度的调制 § §6.3 肖特基二极管及其IV特性 § §6.4 M/S的欧姆接触 § §6.5 异质结 § §6.1 金属/半导体接触和肖特基势垒 § M/S接触（Contact ）为金属（M ）与半导体（S）接触形成的 基本结构，通常形成肖特基势垒(Shottky Barrier)，其中肖特 基势垒是M/S 肖特基接触的主要特征。在特定的条件下M/S接 触可形成欧姆（Ohmic ）型接触。 影响肖特基势垒的因素有：金属和半导体的功函数、金属感应 的镜像电荷产生的镜像势、界面的陷阱态能级及其密度等 6.1.1 M/S接触的应用领域 •在金属与半导体之间实现低电阻的欧姆接触，可为半导 体器件之间的连接提供的低阻互连 •作为整流结（肖特基势垒）器件（肖特基二极管）使用 §6.1 金属/半导体接触 § 6.1.2 M/S接触的形成 M/S结构通常是通过在干净的半导体表面淀积金属而 形成。利用金属硅化物（Silicide）技术可以优化和 减小接触电阻，有助于形成低电阻欧姆接触。 §6.1 金属/半导体接触 § 6.1.3 理想M/S接触的平衡能带图 1. 热平衡条件：形成统一的费米能级，即E = Const f 在前面的讨论中，我们已经说明，任意半导体系统 在达到热平衡时，费米能级在空间范围内保持平直， 即Ef ＝常数。相关的能带图特征，在非均匀掺杂的半 导体系统（PN结）中已有演示。这一法则在两种不同 类型的材料接触形成的系统中仍然适用。 考虑两种材料：金属（M ）与半导体（S）形成接触 ，设其各自费米能级分别为Ef1 和Ef2 。金属的功函数为 φ ，半导体的功函数为φ ，亲和势为χ M S 热平衡情形下，M和S之间电子的运动达到动态平衡。 热平衡时，电子从1到2 （F1→2 ）和从2到1 （F2 →1 ）的 流量应该相等,即 F ＝F 1 →2 2 →1 f g (1 －f )g ＝f g (1 －f )g D1 1 D2 2 D2 2 D1 1 f D1 = fD2 则 E ＝E f1 f2 其中f 和f 为电子的费米分布函数，g 和g 为电子的态密度 D1 D2 1 2 §6.1 金属/半导体接触 § 2.金属和半导体中允态和填充态与能级位置的关系 金属半导体结 金属 半导体 ＝填充态＝f D (E)g(E) ＝允态＝g(E) 金属的E 在导带中，有很多自由电子；半导体的 E 在禁带中 f