基于多模式扫描探针显微镜技术分析碳化硅的辐照损伤.pdfVIP

第 37 卷 第 1 期 核 技 术 Vol.37, No.1 2014 年 1 月 NUCLEAR TECHNIQUES January 2014 基于多模式扫描探针显微镜技术分析 碳化硅的辐照损伤 白志平 范红玉 袁 凯 刘纯洁 安泰岩 王 研 赵晨旭 李 月 （大连民族学院物理与材料工程学院 大连 116600 ） 摘要 本文在 600 ºC 对 6H-SiC 进行了 He+辐照实验，离子辐照能量为 100 keV，剂量为 5×1015 ions·cm−2 、 1×1016 ions·cm−2 、3×1016 ions·cm−2 和 8×1016 ions·cm−2 。本文采用多模式扫描探针显微镜技术，包括轻敲模式 原子力显微镜、纳米压痕/划痕和导电模式原子力显微镜技术对样品辐照前后的表面损伤进行了分析。结果表 明，随辐照剂量的增加，样品表面粗糙度逐渐增加，表面硬度逐渐下降。导电模式原子力显微镜能清晰地观 测到样品表面氦泡分布形态，进一步说明材料表面的肿胀是由材料内部高压氦泡产生的。 关键词 碳化硅，辐照损伤，纳米压痕/划痕，多模式扫描探针显微镜 中图分类号 TL62+7 DOI: 10.11889/j.0253-3219.2014.hjs.37.010204 碳化硅(SiC)材料是自第一代元素半导体材料 究了样品辐照前后的表面形貌、硬度以及导电性的 (Si)和第二代半导体材料(GaAs 等)之后发展起来的 变化规律。 第三代宽带隙半导体材料。在高温下，常规半导体 材料的迁移率会下降，而 SiC 具有宽禁带、高热导 1 实验方法 率、高饱和电子速度和高击穿电场等特性，因此， + 实验中采用的 He 束注入能量为 100 keV，辐照 碳化硅器件可以在高温、大功率、强辐照场等极端 15 −2 16 −2 剂量分别为 5×10 ions·cm 、1×10 ions·cm 、 恶劣的条件下工作[1−2] 。SiC 的这些特性使得其在聚 16 −2 16 −2 3×10 ions·cm 和 8×10 ions·cm ，温度控制在 变反应堆第一壁或偏滤器靶板上具有很大的应用前 600 ºC 。辐照过程中为避免沟道效应[11]，样品偏离 景。因此研究材料的辐照损伤特性、分析辐照诱导 16 −2 束源方向 7°−8°。当辐照剂量为 8×10 ions·cm 时， 缺陷的演化规律对于指导 SiC 材料的器件设计以及 + 依照 SRIM2008 计算结果，注入的 He 在 SiC 中的 [3−6] 材料优化等方面具有非常重要的意义 。 + 浓度和原子离位损伤分布如图 1 所示。H