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薄膜材料基础 李 效 民 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室 Outline  薄膜材料定义  薄膜材料制备方法  薄膜材料应用  薄膜材料研究实例  参考书目参考论文 薄膜材料：薄膜是一种物质形态，一般指通过物理方法或化学 方法形成的厚度小于10微米的固体材料。 薄膜与块体在化学组成、晶体结构、原子结合、残余应力等方 面有所不同，使其物理化学性质较块体材料有所变化： 电学特性— 电阻率增大、电阻温度系数减小、表面效应增大、 载流子迁移率减小、空间电荷和电场效应明显 热学特性—热导率减小、热电效应增强 磁学特性— 巨磁阻效应 光学特性—反射率变化、光干涉效应 机械特性—耐磨性、强度、硬度变化 量子效应—量子尺寸效应、遂穿效应  薄膜材料制备方法 分类：物理气相沉积法（PVD）、化学气相沉积（CVD）、溶液法 PVD — 在真空条件下，通过热蒸发、电子束蒸发、激光或离子束溅射 等方法，使原子、分子或分子团簇凝聚在固态衬底上形成薄膜。 基本过程： 固体蒸发源—高温气体—凝聚 （气体温度 〉衬底温度） CVD — 气体源在加热的固态衬底表面发生化学反应并形成薄膜。 基本过程：常温化合物气体—高温衬底上化学反应－反应生成物 （气体温度 〈衬底温度） 溶液法— 泛指以液态为原料制备薄膜的方法。  薄膜材料制备方法 真空蒸发法— 真空中通过加热使固态原料在真空中蒸发 在衬底上形成薄膜的方法。 薄膜形成过程： 原料蒸发— 气态原子、分子和团簇飞行— 衬底上薄膜形成 蒸发温度和真空度：蒸发温度必须在原料熔点以上， 真空度一般在10-2 - 10-3Pa 平均自由行程 ：气态分子不与其他分子碰撞的平均移动距离。 平均自由行程＝0.8 （cm）/ 真空度（Pa） 例：当真空度为10-2 Pa时，平均自由行程约为80cm  真空蒸发法  薄膜材料制备方法 分子束外延法（MBE：Molecular Beam Epitaxy） — 超高真空中将源材料以分子束形式蒸发，使其在加热衬底上形成薄膜。  薄膜材料制备方法 溅射法（Sputtering ） — 利用高能粒子作用与固体表面，产生原子、分子和离子气体， 并使其在衬底上形成薄膜。包括离子溅射、磁控溅射等。  薄膜材料制备方法 脉冲激光沉积法 （PLD：Pulsed-laser Deposition） —将高强度脉冲激光束聚焦于靶材表面，使靶材表面产生高温及熔蚀， 并进一步产生高温高压等离子体，等离子体定向局域膨胀发射并在衬底 上沉积而形成薄膜。  薄膜材料制备方法 脉冲激光沉积法特点 1) 无成分选择蒸发效应，可生长与靶材成分相近化学计量比的薄膜。 2) 激光源从真空系统外部引入，激光能量、脉冲频率等参数独立可调， 可自由改变薄膜制备条件。 3) 产生高能等离子体，粒子动能远远大于蒸发、气相沉积或溅射法， 有利于薄膜在低温下的结晶生长、抑制相界面元素的相互扩散。 4) 可以实时原位监控薄膜生长过程，适于进行薄膜生长的人工设计， 尤其适于制备多层薄膜和超晶格薄膜。  薄膜材料制备方法 实时原位监控 反射高能电子衍射: （RHEED：Reflective High Energy Electron Diffration） 是一种对晶体表面结构非常