基于失效机理的半导体器件寿命模型研究_赵霞.pdfVIP

第 卷 第 期 9 12 Vol.9No.12 年 月 技术前沿 Dec.2007 2007 12 基于失效机理的半导体器件 寿命模型研究 赵霞,吴金,姚建楠 东南大学无锡分校,江苏 南京 ( 210096) 摘 要:为了探讨不同失效机理对元器件寿命的不同影响。文中分析了半导体器件的三个主 要失效机理 电迁移、腐蚀和热载流子注入 的影响因素及寿命模型,并通过具体数据计算 ( ) 分析了加速因子对不同状态下半导体器件寿命所产生的影响。 关键词:半导体器件;可靠性;加速寿命试验;失效机理 0 引言 如电迁移、腐蚀、与时间相关的介质击穿、热载 流子注入、软误差等等。以上各方面因素的综合 随着微电子设备应用的越来越广泛,半导体 作用决定了器件的寿命模型。 器件的生产成本和性能要求将被可靠性要求所取 代。为了分析、评价器件的可靠性,必须对其进 2 电迁移 行可靠性试验。在正常工作条件下,为了更快地 由于载流子和施主晶格之间的相互影响,铝 得到器件的可靠性数据,通常采用加速寿命试验 离子将会沿电子传输方向移动[1-2] 。由于分叉中心 的方法,并根据器件的失效机理来分析相应的失 的存在,空位开始团簇,团簇分子生长成空穴 效模型,以改进相关设计。 后,还将继续生长,直到能阻挡铝中的电流。至 加速寿命试验 ,简 (AcceleratedLifeTesting 电流将被迫流向阻挡层,同时相应的电阻将增 称ALT)就是采用加大应力的方法促使样品在短 加,并导致器件失效。因此,这是一个质量守衡 期内失效,以预测在正常工作或储存条件下的可 过程,传输铝离子的积聚可使支持的介质层的应 靠性,但不改变受试样品的失效分布。加速寿命 力增加,并最终导致断裂和短路。电迁移是在高 试验可以在较短的时间里,对高可靠器件的可靠 温、大电流密度下,通电铝条中的铝离子沿电子 性水平进行评估,并对器件的可靠性设计、工艺 流传输的过程。电迁移是半导体器件和IC的电极 改进和可靠性增长效果进行评价,加速暴露器件 系统中最主要的失效机理。一般情况下,影响金 失效模式和机理,从而正确地制定失效判据和筛 属电迁移的因素有金属互连线的长宽厚、温度、 选条件。