热丝加热电流对CH薄膜沉积速率和表面形貌的影响.pdfVIP

　第 15 卷 　第 8 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol. 15 ,No. 8 　 　2003 年 8 月 HIGH POWER LASER AND PARTICL E BEAMS Aug. ,2003 　 文章编号 (2003) 热丝加热电流对 CH 薄膜沉积速率和表面形貌的影响 张占文, 　李 　波 , 　王朝阳 , 　余 　斌 , 　吴卫东 ( 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621900) 　　摘 　要 : 　热丝辅助裂解法是结合气相沉积制备聚对二甲苯薄膜和热丝化学气相沉积而形成的一种制备 CH 薄膜的新方法。热丝辅助裂解法的最大特点就是在保持低衬底温度情况下可以获得高沉积速率 ,而热丝 加热电流对薄膜沉积速率和薄膜表面形貌具有重要影响。研究表明 ,热丝加热电流越大 ,薄膜沉积速率越高 , 在加热电流 9A 时 ,薄膜沉积速率可达 0. 002mm/ min ,同时薄膜表面粗糙度随之增加 ,薄膜表面也开始出现其 它元素污染 ,因此 ,一般热丝加热电流选择为 7A 附近。 　　关键词 : 　热丝 ; CH 薄膜 ; 沉积速率 ; 表面形貌 　　中图分类号 : TL639. 11 　　　　文献标识码 :A ( ) 　　在惯性约束聚变 ICF 实验中 ,实验用靶的制备和靶材料的研究占有相当重要的位置。低原子序数的 CH 薄膜在制靶中应用相当广泛[1～3 ] ,制备方法不同 ,薄膜的结构和用处也不同[4 ,5 ] 。热丝辅助裂解化学气相沉积 法 ,简称热丝辅助裂解法 ,是在气相沉积制备聚对二甲苯薄膜基础上 ,利用热丝制备类金刚石薄膜方法而形成 的一种制备 CH 膜的新方法[6 ] 。热丝辅助裂解法的最大特点就是在保持低衬底温度情况下可以获得高沉积速 ( ) 率。热丝法 HFCVD 是制备类金刚石薄膜的一种常用方法 ,沉积速率高 ,薄膜质量也很好 ,但它的衬底温度一 般超过 600 ℃,在这一温度下 ,大部分靶零件都已经变形 ,所以该方法一般不能用于制靶 ;聚对二甲苯薄膜也是 μ 制靶中常用到的一种 CH 薄膜 ,一般聚对二甲苯薄膜沉积速率不超过 30nm/ min ,在制备厚度 10～50 m 的薄 膜时 ,实验周期过长。热丝辅助裂解法是将上述两种方法结合在一起 ,在保持衬底温度 - 30～10 ℃条件下 ,沉 积速率为 300～500nm/ min ,最高可达到 2μ m/ min ,在合适工艺条件下可以制备出高质量的薄膜。热丝辅助裂 解法的最大特点是裂解过程中采用炽热的钨丝。本文主要研究热丝加热电流对薄膜沉积速率和薄膜表面形貌 的影响。 1 　实验装置及实验原理 　　热丝辅助裂解法制备 CH 薄膜装置如图 1 所示 ,该装置主要由温度测量和控制系统、真空机组和真空室组 成。真空室内主要有蒸发原料用的蒸发舟、裂解用的钨丝和沉积薄膜用的衬底。热丝及其周围套管的结构见 图2 ,钨丝直径为 0. 35mm ,外面是双层套管 , 内层为绝缘及保温的陶瓷材料,外面是不锈钢支撑材料。衬底采 用冰水或液氮冷却 ,当采用液氮冷却时最低温度可到 - 70 ℃。镀膜时 ,基片放在衬底上表面 ,这样不但利于制 靶时靶零件的放置 ,而且可以避免未裂解原料直接成膜。 Fig. 1 　Schematic of the evaporate chamber Fig. 2 　Schematic of the hotwire unit 图 1 　蒸发装置示意图