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第一章 p-n结 p-n结是同一块半导体中p型区与n型区交界面及其两侧很薄的过渡区 p-n结是众多半导体器件的核心部分 § 1.1 p—n结的形成及平衡状态 1、p-n结的形成与杂质分布 2、p-n结空间电荷区 3、p-n结的能带图 4、平衡p-n结势垒区电场 5、平衡p-n结势垒高度 6、平衡p-n结的载流子浓度分布 正向p-n结中电流成分的转换即少子扩散电流转换为多子复合电流的过程 通过p-n结的总电流是恒定的，但各处的电流成分不同 势垒区：两种电流成分，均保持不变（近似），注入的电子电流和空穴电流 扩散区：两种电流成分，相互转换，少子扩散电流转换为多子复合电流 中性区：一种电流成分，多子电流，包括注入电流和复合电流 正向时，势垒区和扩散区形成复合电流，反向时，形成势垒产生电流。 势垒产生电流IG正比于ni，扩散电流ID正比于ni2，ni越小，IG相对ID越大 室温下，硅结IG以为主，锗结IRD以为主 锗结ni较大，故其I-V特性饱和，而硅结不饱和 随温度升高，ni增大，故反向饱和电流（扩散电流）随温度升高而增加更快 三、温度对p-n结电流、电压的影响 1 对反向饱和电流的影响 2 对势垒产生电流的影响 3 对正向电流的影响 4 对p-n结电压的影响 p-n结形状的影响 p-n结端面形状的影响 高阻层厚度的影响 表面状态的影响 其它因素的影响 p-n结形状的影响 p-n结端面形状——磨角的影响 高阻层厚度的影响 表面状态的影响 其它因素的影响 p-n结形状的影响 p-n结端面形状——磨角的影响 高阻层厚度的影响 表面状态的影响 其它因素的影响 沿x方向， Jn(x)增加 Jp(x)减小 但两电流方向一致 在dx中，乃至p-n结中的总电流密度J与位置x无关——电流连续性 一个载流子在穿过势垒区时只要能够碰撞产生出一对电子—空穴对，即可发生雪崩击穿。 雪崩倍增因子M强烈依赖于外加电压 势垒区中，?各处不同，只有当E较大时， ?(E)才剧烈增大 碰撞电离实际上集中发生在电场最强部位附近 对倍增有贡献的部分主要产生在势垒中最大场强处 三、雪崩击穿电压及其影响因素 1、突变结的雪崩击穿电压 电压一定时，p-n结掺杂 浓度越高，场强越大 单边突变结的击穿电压主要决定于高 阻侧的掺杂浓度，且与该浓度成反比 由雪崩击穿条件和雪崩碰撞电离率与电场强度的依赖关系可以求出雪崩击穿临界场强，进而计算雪崩击穿电压 2、线性缓变结的雪崩击穿电压 线性缓变结杂质浓度梯度 越大，击穿电压就越低 3、扩散结的雪崩击穿电压 查：击穿电压—本体杂质浓度—表面杂质浓度—结深的关系曲线 雪崩击穿电压—结上浓度梯度—结深的关系曲线 用经验公式近似计算 4、影响雪崩击穿电压的因素 平面结 柱面结 球面结 电场集中 深结扩散 保护环 台面结构 1 线性缓变结空间电荷区宽度随外加电压的1/3次幂变化 2 线性缓变结空间电荷区宽度与结附近杂质浓度梯度的三次 根成反比 4、扩散结的空间电荷区 实际扩散结的杂质分布依据结形成时的具体条件不同或为余误差函数分布或为高斯函数分布，情形比较复杂，往往不能简单地用突变结或线性缓变结去处理。 因为空间电荷区的情形直接影响着p—n结的势垒电容，所以这一部分内容将结合扩散结的势垒电容一起讨论。 5、关于“耗尽层近似”说明 近似——局限性——特定的适用条件 空间电荷区中的自由载流子 空间电荷区的边界 “耗尽层近似” 对于对称的(即两侧杂质浓度相等或相近的)p-n结， 且在较大的反向偏压作用下，与实际情况较符。但是在正偏、零偏和较小的反向偏压下，空间电荷区自由载流子的存在将影响空间电荷区电场的大小及分布，此近似不再适用。在单边突变结这样极不对称的p-n结中，在低掺杂侧的空间电荷区内存在着自由载流子积累而成的 反型层。 耗尽层近似认为，空间电荷区边界上的电荷是突变的，在边界上电荷密度突然下降为零。实际上空间电荷区边界上的电荷密度是逐渐下降的，存在过渡区。过渡区的存在引起VD的误差，且在正、零及小的反偏下引起势垒电容的很大误差。 空穴电荷 电离施主电荷 空穴电荷 电离施主电荷 反型层 1、p-n结势垒电容的来源 二、p-n结势垒电容 p n p n xm xm-Δx xm xm+Δx 图1-35 p-n结势垒边界处载流子的运动 (a)载流子流入，势垒变窄（充电）；(b)载流子流出，势垒变宽（放电） 1、p-n结势垒电容的来源 二、p-n结势垒电容 势垒电容的电容量随外加电压而变化，是非线性电容，平行板电容器的电容是固定值； 形成势垒电容的势垒区中充满空间电荷，平行板电容器中间没有电荷； 势垒电容的大小取决于载流子补偿空间电荷区电荷的情况，因而与p-n结两侧掺杂情况密