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半 导 体 物 理 第八章 半导体的光电性质及光电效应 华南理工大学电子与信息学院 蔡 敏 教授 第八章 半导体的光电性质及光电效应 8.1 半导体的光学常数 8.2 半导体的光吸收 8.3 半导体的光电导 半导体的光学常数 一、半导体的光吸收系数 光吸收：光子与半导体中的微粒子相互作用而引起的能量传递过程。 光衰减过程可描述为： 解得： 光强I：单位时间通过单位面积的光子数，即光子流密度。 物理意义：光入射到半导体内被吸收，使光强减小到原值的1/e时，光波所传播的距离即是吸收系数的倒数。 所以，吸收系数为： 二、反射系数R和透射系数T 由电磁理论中麦克斯韦方程组可解得： R为反射能流密度(光强度)与入射能流密度之比 T为透射能流密度与入射能流密度之比，由图可知： 第八章 半导体的光电性质及光电效应 8.1 半导体的光学常数 8.2 半导体的光吸收 8.3 半导体的光电导 一. 本征吸收 本征吸收的长波限： 长波限关系式： 价带电子吸收光子能量后，由价带跃迁到导带中，这种光吸收过程称为本征吸收。 本征吸收条件： 显然，通过测量半导体材料的吸收光谱可以推算出该材料的禁带宽度。 本征吸收引起的电子带间跃迁必须遵守能量和动量守恒定律。假如电子跃迁前处于k状态，能量为E，跃迁后处于k’状态，能量为E’。 由能量和动量