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发光二极管光取出原理及方法 2.1 发光二极管光取出原理 辐射量－－辐射发光效率 感光量－－LED发光效率 发光效率K LED发光效率 光子数与电子空穴复合数之比 电子空穴对能量与外部电源功率之比 影响光取出效率的三个原因 1，材料本身的吸收。解决措施：厚的窗口层（window layer）或电流分布层使电流均匀分布并增大表面透过率；用电流局限技术（Current Blocking）使电流不在电接触区域下通过；用透明或不吸光的材料做衬底或者在活性层下设置反射镜将光反射至表面 2，菲涅尔损失：当光从折射率为n1的某种物质到折射率为n2的某种物质时，一部分光会被反射回去。菲涅尔损失系数为 若n1=3.4,n2=1,则 ，也就是70.2％的光可以投射半导体与空气的界面 3，全反射损失：只有小于临界角内的光可以完全被射出，其他的光则被反射回内部或吸收。 解决措施：一般情况下用环氧树脂做成圆顶（Semispherical Dome），放在LED芯片上，可以大大增加临界角，但是制造成本同时增加 一种经济的减少全反射的方法是将p-n结用环氧树脂包封起来，利用模具可以很方便地浇铸成半球形封帽。如下图所示，目前工业化生产地单体发光二极管多采用类似结构 2.2 增加内部量子效率的方法 增加光取出率，首先要增加内部量子效率，希望能达到99％左右。然后需要改进内部结构以利于电流分布以及减少光吸收。 一、采用异质结结构 LED 发光机制 异质结注入发光 例如，对于蓝光LED中采用的InGaN-GaN异质结，发光波长在460nm附近时，带隙约为2.7 eV，相当于InGaN的禁带宽度。发光区（Eg2较小）发射的光子，其能量hv小于Eg1，进入p区后不会引起本征吸收，即禁带宽度较大的p区对这些光子是透明的。 二、采用最佳活性层 下图是南昌大学教育部发光材料国家重点实验室制备的InGaN/ GaN量子阱，数目为5个 惠普公司采用4个50nm厚的AlInGaN/ GaN量子阱，发现其发光效率要比在同等厚度下的非量子阱活性层效率高30％。 2.3 改进内部结构，提高发光效率 一、改善电流分布 为提高出光效率和空穴的均匀注入，P型GaN的透明导电薄膜是必不可少的。由于金属薄膜低的透光率和在高注入电流下金属的扩散，用传统的金属薄膜作为P型GaN欧姆接触的LED出光效率低、稳定性差。如半透明的Ni/Au薄膜的透光率大约只有60一75%。 解决这个问题的一个可行方法是用透明的ITO（铟锡氧化物）薄膜代替Ni/Au薄膜作为P性GaN的接触层。ITO具有硬度好、化学性质稳定、导电性好和低的光吸收系数。并且，ITO薄膜和GaN之间附着好。由于这些特性，ITO是很有前途的P型GaN的电极材料。 ITO薄膜在可见光波段具有很好的透光率，尤其在波长为460nm处，透光率为95.5%。相比之下，Ni/Au薄膜在460nm波段处，透光率只有60一75%。 ITO氧化物其禁带宽度(即能隙)在E=3.5eV，所以可见光(1.6~3.3eV)的能量不足以将价带的电子激发到导带。自由电子在能带间迁移而产生的光吸收，在可见光的范围不会发生，ITO对可见光透明 二、生长分布布喇格反射层（DBR）结构 DBR（distributed bragg reflector）结构早在20世纪80年代R.D.Burnham 等人提出，如图1所示。 它是两种折射率不同的材料周期交替生长的层状结构，厚度一般为波长的1/4，它在有源层和衬底之间，能够将射向衬底的光反射回表面或侧面，可以减少衬底对光的吸收，提高出光效率. DBR 结构直接利用MOCVD设备（金属有机化学气相沉积系统）进行生长，无须再次加工处理。 布喇格光栅的原理 布喇格光栅的原理是由于折射率周期变化造成波导条件的改变，导致一定波长的光波发生相应的模式祸合，使得其透射光谱和反射光谱对该波长出现奇异性。 三、制作透明衬底LED（TS-LED） 除了将光反射掉，另外一种减少衬底吸收作用的方法就是将LED 的衬底换成透明衬底，使光从下底面出射。 透明衬底可以在LED晶片生长结束后，移去吸光的n-GaAs 衬底，利用二次外延生长出透明的、宽禁带的导电层。 也可以先在n-GaAs 衬底片上生长厚50mm 的透明层（比如AlGaAs），然后再移去GaAs衬底。这两种技术的问题在于透明层的价格昂贵,难于生长，而且与高质量的有源层之间匹配不好。 另外一种技术就是bonding（粘合）技术。它是指将两个不同性质的晶片结合到一起，并不改变原来晶体的性质。 用选择腐蚀的方式将GaAs 衬底腐蚀掉后，在高温单轴力的作用下将外延片bonding 到透明的n-GaP 上。制成的器件是