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微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化.pdf

第32卷第11期 硅酸盐学报 V01.32,No.11 2OO oFTHECHINESECERAMICSoCIETY 4年11月 JOURNAL 微管在6H—SiC单晶生长过程中的演化 韩荣江h2,王继扬1,徐现刚1,胡小波1,李娟1,李现祥1,蒋民华1 了后续生长阶段近似平坦的形状。发现近似平坦的生长前沿有利于单晶质量的提高。透射光学显微镜观察发现,若微管的延伸方向与6H— 的晶格发生畸变,可导致产生新微管。 关键词:碳化硅单晶;升华法;调制掺氮;微管;生长前沿 中圈分类号:0771;0782文献标识码:A 文章编号:0454—5648(2004)11—1377一04 MICRoPIPE THEGROⅥ叩HPROCESSoF6H—SiC EVoLUTIoNDURING HANRo,z幻施行91一,W.ANG of ofMaterialsand (1.StateKeyLaboratoryCrystalMaterials,ShandongUniversity,Jinan250100;2.CoIlege ofScienceand Environmental University 266042,China) Science,Qingdao Technology,Qingdao modulated 6H—SiC was sublimationmethod.The stri— Abstr雠t:The nitrogen_dopedmonocrystallinegrownby nitrogen-doped showthattheconvex fronttheinitial ationsinaxial-cutslice ofthe at along[o001]directionas—growncrystal growth growth into flat frontatthe Itisfoundthatthe flat stagechangesgraduallynearlygrowth subsequentgrowthstages. nearlygrowth frontisinfavorof the Theobservations inthetransmissionmodeshow quality. thmughopticalmicroscopy improvingcrystal whendeviationbetween of thatsome tendstobeunstableanddissociatethe the direction micropipe angle extending micropipe of6H—SiC becomes addition,somecanalsoendata voidorsilicon and[o001]directioncrystal 1arger.In micropip

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