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微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化.pdf
第32卷第11期 硅酸盐学报 V01.32,No.11
2OO oFTHECHINESECERAMICSoCIETY
4年11月 JOURNAL
微管在6H—SiC单晶生长过程中的演化
韩荣江h2,王继扬1,徐现刚1,胡小波1,李娟1,李现祥1,蒋民华1
了后续生长阶段近似平坦的形状。发现近似平坦的生长前沿有利于单晶质量的提高。透射光学显微镜观察发现,若微管的延伸方向与6H—
的晶格发生畸变,可导致产生新微管。
关键词:碳化硅单晶;升华法;调制掺氮;微管;生长前沿
中圈分类号:0771;0782文献标识码:A 文章编号:0454—5648(2004)11—1377一04
MICRoPIPE THEGROⅥ叩HPROCESSoF6H—SiC
EVoLUTIoNDURING
HANRo,z幻施行91一,W.ANG
of ofMaterialsand
(1.StateKeyLaboratoryCrystalMaterials,ShandongUniversity,Jinan250100;2.CoIlege
ofScienceand
Environmental University 266042,China)
Science,Qingdao Technology,Qingdao
modulated 6H—SiC was sublimationmethod.The stri—
Abstr雠t:The nitrogen_dopedmonocrystallinegrownby nitrogen-doped
showthattheconvex fronttheinitial
ationsinaxial-cutslice ofthe at
along[o001]directionas—growncrystal growth growth
into flat frontatthe Itisfoundthatthe flat
stagechangesgraduallynearlygrowth subsequentgrowthstages. nearlygrowth
frontisinfavorof the Theobservations inthetransmissionmodeshow
quality. thmughopticalmicroscopy
improvingcrystal
whendeviationbetween of
thatsome tendstobeunstableanddissociatethe the direction
micropipe angle extending micropipe
of6H—SiC becomes addition,somecanalsoendata voidorsilicon
and[o001]directioncrystal 1arger.In micropip
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