第一篇二极管及电路分析-Read.PPT

第一篇第一章 二极管及其电路分析 第一篇 电子器件与电子电路基础 第一章 半导体二极管及其电路分析 1.1.1 二极管的结构、特性与参数 PN结的机理与特性 (p.597附录A) 2. 杂质半导体 3. 半导体中载流子的运动 PN结的形成 PN结的单向导电性 二极管分类 二、二极管的特性与参数 击穿特性 温度特性 2. 二极管的电容效应 3. 二极管的主要参数 1.1.2 二极管基本应用电路分析举例 一、二极管模型 二、二极管基本应用电路分析举例 【例1.1.1】 1.1.3 特种二极管 【例1.1.2】 二、发光二极管 三、光电二极管 四、变容二极管 五、肖特基二极管 在低压稳压电路中，设VI＝12V，R＝5.1k?。若VI变化（?10%），问输出电压VO变化多少？ 解： VO＝1.4 V 利用反向击穿特性稳压范围从1V到几百伏 一、稳压二极管 主要参数： 稳定电压VZ 动态电阻rz rz愈小，则击穿特性愈陡，稳压特性愈好。 最大允许耗散功率PZM 最大稳定电流IZ(max) 最小稳定电流IZ(min) 反向击穿区起始电流 设计一个硅稳压管稳压电路，要求输出电压VO＝6V，最大负载电流为20mA，设外加输入电压VI为+12V。 解： 电路结构如图所示。 选用2CW14，其稳定电压VZ＝6V，稳定电流为 10 mA，最大稳定电流为33mA。 R选标称值为200 ?的电阻。 电致发光器件，将电信号转换成光信号。 通常由磷砷化镓（GaAsP)、磷化镓（GaP)制成 光的波长（颜色）与材料有关 正偏导通时发光 发光二极管的开启电压和正向导通电压比普通二极管大，正向电压一般为1.3~2.4V。亮度与正向电流成正比，一般需要几个毫安以上。 正常工作在反偏状态。无光照时，只有很小的反向饱和电流，称为暗电流；有光照时，PN结受光激发，产生大量电子空穴对，形成较大的光电流。 通常由硅材料制成，管壳有接收光照的透镜窗口。 光电二极管的电流与照度成正比，用于信号检测、光电传感器、电机转速测量等。 反向偏置时，PN结的等效电阻很大，等效电容与所加反向电压的大小有关。 变容二极管的电容很小，一般为pF数量级，通常用于高频电路，如电视机高频头中的压控可变电容器。 主要特点是导通电压较低(0.4V左右)，导通时存储的非平衡载流子数量少，夹断时间很短，在高速数字电路中获得很好的应用。 * 电路符号 空心三角形箭头表示实际电流方向： 电流从P流向N。 一、二极管的结构与类型 （P） （N） 二极管由一个PN结，加相应的电极引线和管壳封装而成。 半导体的导电特性 1. 本征半导体 导电性能介于导体（如铜、铁等）与绝缘体（如石头、木头）之间； 主要有：Si（硅） Ge（锗） GaAs（砷化镓）； 影响半导体的导电性能： 温度、纯度。 纯净的半导体称为本征半导体。 以硅(Si)为例： 最外层有4个电子，受原子核的束缚力最小，称为价电子。导电性能与价电子有关。 硅原子结构 简化模型 (+4)表示原子核和内层电子所组成的惯性核的电荷。 硅制成单晶后，原子按一定规律整齐排列。 价电子受相邻原子核的作用，形成共价键。 共价键中的价电子获得足够的能量时（温度或光照）挣脱共价键的束缚，成为自由电子。同时，在共价键中留下空位，称为空穴。 自由电子和空穴总是成对出现，称为电子空穴对。电子空穴对的产生称为本征激发（热激发）。 在本征硅中，自由电子作为携带负电荷的载流子参加导电。空穴也可以看成是携带正电荷的载流子。 出现空穴后，共价键中的价电子就较易填补到这个空位上，过程的持续进行，相当于空穴在晶体中移动。 在本征激发的同时，自由电子受原子核的吸引还可能重新回到共价键中，称为复合。 在一定温度下，电子空穴对的热激发与复合达到动态平衡，电子空穴对维持一定的浓度。 导电能力由电子空穴对的浓度决定。常温下，本征硅中自由电子的浓度或空穴的浓度为硅原子浓度的3万亿分之一。所以本征硅的导电能力是很弱的。 为了提高半导体的导电能力，掺入某些微量的元素作为杂质，称为杂质半导体。 (1) N型半导体 掺入磷、砷等五价元素。 多余的价电子成为自由电子，且浓度远远超过电子空穴对。 自由电子为多子； 空穴为少子。 (2) P型半导体 掺入硼、镓等三价元素。 空穴为多子； 自由电子为少子。 这种半导体以空穴导电为主，称为P型半导体。 杂质半导体中，多子浓度由杂质的含量决定，少子的浓度主要由温度决定。 漂移运动 扩散运动 在电场作用下的定向运动。自由电子与空穴产生的电流方向一致。 载流子由浓度高的区域向浓度低的区域扩散。 在N型半导体的基片上，采用平面扩散法等工艺，掺入三价元素，使之形成P型区，则在P区和N区之间的交界面处将形成一个很薄的空间电