纳米级PtSiSi111膜成形工艺与连续性研究.PDF

　第 19 卷第 6 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 6　 V o l N o 　1998 年 6 月　　　　　　 　　　　　　 , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June 纳米级 ( 111) 膜成形 PtSi Si 工艺与连续性研究 王培林　盛文斌　杨晶琦　徐达鸣 ( 哈尔滨工业大学　　哈尔滨　150001) ( ) 摘要　研究了在 111 Si 衬底上沉积 5nm P t 膜经不同工艺成形后其反应产物及膜的连续性. ( ) 结果表明高温短时间退火 600 ℃、3 有利于形成连续的 膜. m in P tSi PACC: 6855, 0762 1　引言 P tSi 膜除了在超大规模集成电路中的应用外, 由于与硅形成的肖特基势垒对红外光敏 感, 因此又成为红外探测器重要材料之一. 在红外焦平面列阵应用中, 一般认为, P tSi 膜在 [ 1, 2 ] 厚度小于 10nm 时其量子效率系数C l 能达到最大值 . 但膜厚的减小存在很大难度, 主要 限制因素是膜的连续性和表面分布面积. 膜太薄发生间断, 对红外光敏感的总面积减小, 量 子效率下降. 为了提高膜的质量, 人们着眼于一些新的工艺方法, 如 Si 衬底表面作A r 离子 [ 3 ] [ 4 ] [ 5 ] 轰击或预溅射处理 , 用离子进行诱导混合 、低能离子注入 、高能量密度的脉冲离子束 [ 6 ] [ 7 ] [ 8 ] [ 9 ] 辐射 、 沉积时的冷、热蒸发法 、 与 交替沉积法 、预溅射 层方法 及阶梯温 P t P t Si A u 度退火工艺[ 10 ] 等. 在 P tSi 膜成形过程中, 退火温度及时间是核心环节. 退火温度达到 800℃ 以上时, 接近 、 两相的共熔温度, 降温时 发生结块, 引起 膜电阻增大, 而温度低 P t Si P t P tSi [ 11 ] 于 300 ℃时P tSi 相生成率极低