电磁屏蔽技术研究GT3.docVIP

电磁屏蔽技术 本章主要介绍电磁屏蔽的基本原理、屏蔽体屏蔽效能的计算方法、屏蔽体的不完整性对屏蔽性能的影响，以及屏蔽体的设计方法。另外也介绍了接缝的屏蔽保证技术，以及屏蔽体上开孔的处理方法。 1 电磁屏蔽的基本概念 1.1 电磁屏蔽的概念及分类 屏蔽是电磁干扰防护控制的最基本方法之一。电磁屏蔽是指对电磁波产生衰减作用。其目的有两个方面：一是控制内部辐射区的电磁场，不使越出某一区域；二是防止外来的辐射进入某一区域，如图3.10-1所示。因此，屏蔽的方法也是电磁干扰的空域控制方法。屏蔽可以大如一个安装有整体金属材料的建筑物（如大型测试场所或实验场所），小到柔软的电缆金属编织带。常见的屏蔽如仪器设备的金属外壳。 (a) 外部电磁场的屏蔽 (b) 内部电磁场的屏蔽 图3.10-1 电磁屏蔽的目的 通常采用金属导体作为屏蔽体材料，但屏蔽体材料及结构的选择，则取决于屏蔽性质的类别及要求。 屏蔽性质的分类，从要屏蔽的电磁场的性质来划分，有电场屏蔽(静电场屏蔽及交变电场屏蔽)、磁场屏蔽(静磁场屏蔽及交变磁场屏蔽)及电磁场屏蔽(同时存在电场及磁场的辐射电磁场的屏蔽)等。 从屏蔽体的结构分类，可以分为完整屏蔽体屏蔽(屏蔽室或屏蔽盒等〕、非完整屏蔽体屏蔽(带有孔洞、金属网、波导管及蜂窝结构等)以及编织带屏蔽(电缆等)。 1.2 电磁屏蔽效能 采用屏蔽体的目的是要削弱干扰电磁场。屏蔽体的电磁屏蔽效能一般可有如下几种表示方法。 第一，采用屏蔽系数表示。屏蔽系数指被干扰的导体(或电路)在加屏蔽后感应的电压与未加屏蔽时感应电压的比，即 (3.10-1) 越小，表示屏蔽效果越好。 第二，采用传输系数T表示。传输系数T系指加屏蔽后某一测点的场强(Es，Hs)与同一测点未加屏蔽时的场强(E0，H0)的比，即： （对于电场） (3.10-2) （对于磁场） (3.10-3) T愈小，表示屏蔽效果愈好。 第三，采用屏蔽效能SE表示。屏蔽体的有效性用屏蔽效能来度量。屏蔽效能是没有屏蔽时空间某个位置的场强(E0, H0)与有屏蔽时该位置的场强(ES, HS)的比值，并以dB为单位，它表征了屏蔽体对电磁波的衰减程度。如果屏蔽效能计算中使用的是磁场，则称为磁场屏蔽效能，如果计算中用的是电场，则称为电场屏蔽效能： (dB) （对于电场） (3.10-4) (dB) （对于磁场） (3.10-5) 由于屏蔽体通常能将电磁波的强度衰减到原来的百分之一至百万分之一，因此通常用dB来表述。表3.10-1所示为衰减量与屏蔽效能的对应关系。 一般民用产品机箱的屏蔽效能在40dB以下，军用设备机箱的屏蔽效能一般要达到60B，TEMPEST设备的屏蔽机箱的屏蔽效要达到80dB以上。屏蔽室或屏蔽舱等往往要达到100dB。100dB以上的屏蔽体是很难制造的，成本也很高。 表3.10-1衰减量与屏蔽效能的对应关系 无屏蔽场强 有屏蔽场强 屏蔽效能SE （dB） 10 1 20 100 1 40 1000 1 60 10000 1 80 100000 1 100 1000000 1 120 2 屏蔽的基本原理 2.1 电场屏蔽的基本原理 电场屏蔽是为了消除或抑制由于电场耦合引起的干扰。 我们首先来考察静电场的屏蔽问题。设有一导体A带正电，则邻近的导体 B将感应带负电，这就是静电感应现象。 利用金属屏蔽体对电场可以起屏蔽作用，即可使导体A发出的电力线不能到达导体B。但必须注意，屏蔽体的屏蔽必须完善并良好接地，否则不起屏蔽作用，如图3.10-2所示。 (a) 屏蔽层不接地 (b) 屏蔽层接地 图3.10-2 静电场的屏蔽 再考察交变电场情况，若导体A有一交变电压，此时电场将通过金属屏蔽体进行屏蔽，即可使电场局限在导体A与屏蔽体之间。但也必须注意，如屏蔽体屏蔽不完善，或接地不良，也不能起屏蔽作用，或屏蔽效果很差。 因此，采用金属屏蔽体进行电场屏蔽应具备两个条件，即完善的屏蔽及良好自接地。 2.2 磁场屏蔽的基本原理 磁场屏蔽是为了消除或抑制由于磁场耦合引起的干扰。 首先考察静磁场的情况。不论是由电磁铁或是由直流线圈产生的磁场均在空间散布磁线或磁通。磁力线所通过的路径称为磁路。磁力线主要集中在低磁阻的磁路通过。因此对磁场的